MoO3是什么性的

氧化钼

化学式为MoO3，分子量143.94，英文名molybdenum oxide。

无色或黄白色粉末，斜方系晶体，受热变黄，受冷复原。熔点801℃，沸点1155℃，微溶于水，易溶于过量的碱而形成钼酸盐，溶于浓硝酸、浓盐酸、或者浓硝酸和浓硫酸的混合物，可溶于氨水，氢氟酸，不溶于一般的酸。[1]

钼是银白色有光泽的金属，粉末状的钼为黑色。熔点2610℃，沸点5560℃，密度10.2克/厘米3。室温下钼在空气中很稳定，当温度升至600℃时，迅速与氧反应，生成较易挥发的三氧化钼。在500～1150℃用氢气还原三氧化钼或钼酸铵，可得金属钼。

MoO3分子量143.94。白色透明斜方晶体，加热时转为黄色，冷却后恢复原来颜色。密度4.692g/cm3，熔点795℃，沸点1155℃，易升华。不溶于水，可熔于氨水和强碱溶液，生成钼酸盐。溶于强酸、生成二氧钼根(MoO22+)和氧钼根(MoO4+)络合阳离子，与酸根可形成可溶性络合物。氧化性极弱，在高温下可被氢、碳、铝还原。用作分析试剂，制备钼合金和钼盐。在空气中灼烧钼或二硫化钼或者焙烧钼酸制得。

1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体

2、N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。

n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为度施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，内掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。

P型半导体，也称为空穴型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（容如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强

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