半导体发光二极管和半导体激光器类似,也是一个PN结,也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。半导体发光二极管记作LED,是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层,以及中间的由双异质结构成的有源层组成。有源层是发光区,其厚度为0.1~0.2μm左右。
半导体发光二极管的结构公差没有激光器那么严格,而且无谐振腔。所以,所发出的光不是激光,而是荧光。LED是外加正向电压工作的器件。在正向偏压作用下,N区的电子将向正方向扩散,进入有源层,P区的空穴也将向负方向扩散,进入有源层。进入有源层的电子和空穴由于异质结势垒的作用,而被封闭在有源层内,就形成了粒子数反转分布。这些在有源层内粒子数反转分布的电子,经跃迁与空穴复合时,将产生自发辐射光。
第一、不同点:半导体发光二极管与半导体激光器最大的不同是半导体发光二极管没有谐振腔,是无阈值器件,它的发光只限于自发辐射过程,发出的是荧光,半导体发光二极管最大的特点是:光谱较宽、线性好、温度特性好、耦合效率低。第二、相同点:都是电流驱动发光,不同的是LD内有谐振腔,发出的光是激光,单色性更好。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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