晶体三极管是由两块N或p型二极管、中间夹着一层P或N型二极管构成,分为集电极、基极、发射极。集电极负责补充能量,基极负责触发控制,发射极负责输出。由于它的特殊构造,在发射区内注入的电子量是基极电子量的数倍,当基极信号电流开通,触动发射极电流发射,如基极进入一个电子,发射极流出的可能是几个或几百个电子,从而实现所谓的电流放大。
(1)为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。
(2)发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便于收集电子。
(3)联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。
扩展资料:
工作状态
(1)截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
(2)放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
(3)饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
参考资料来源:百度百科-三极管
(1)为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。
(2)发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便于收集电子。
(3)联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。
上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。要使三极管具有电流的放大作用,除了三极管的内因外,还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置,集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件。
三极管的基极流过较小的电流,可以等比例带动集电极电流流动(当然是指在线性的范围内),由于集电极的电流与基极电流之比,视具体的制造工艺的影响,为2-200之间,所以利用三极管的这种特性,在基极输入较小的电流,就能在集电极获得同样特性的大电流,这就是三极管的电流放大作用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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