二、测试电压(电场强度)。介质材料的电阻(率)值一般不能在很宽的电压范围内保持不变,即欧姆定律对此并不适用。常温条件下,在较低的电压范围内,电导电流随外加电压的增加而线性增加,材料的电阻值保持不变。超过一定电压后,由于离子化运动加剧,电导电流的增加远比测试电压增加的快,材料呈现的电阻值迅速降低。由此可见,外加测试电压越高,材料的电阻值越低,以致在不同电压下测试得到的材料电阻值可能有较大的差别。
三、测试时间。用一定的直流电压对被测材料加压时,被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的,而是有一衰减过程。在加压的同时,流过较大的充电电流,接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流,最后达到比较平稳的电导电流。
①热处理温度要求:650±5℃;②热处理目的:还原直拉单晶硅片真实电阻率;
1、热处理后电阻率会有什么变化
由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的,所以在一般器件制造过程的温度范围(≤1200℃),以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的,这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言,氧浓度越高,氧沉淀越易成核生长,形成的氧沉淀也就越多。反之,氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时(<5×1017个/厘米3),几乎就观察不到氧沉淀的形成。
2、热处理的几个温度区间概念:
热施主:350-550℃,代表温度450℃.
450℃热处理后(或同等效果,如单晶在炉子里的冷却),可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高,有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下,溶解的氧原子迅速形成络合物(SiO4)所引起的热生施主,其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。
新施主:550-800℃,代表温度650℃.
650℃热处理,在迅速冷却的条件下(即迅速跨过450℃),可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高;P型样品电阻率恢复低。
沉淀:800-1200℃,代表温度1050℃
1050℃热处理,会带来氧沉淀,且因沉淀诱生层错等缺陷。
还原:>1200℃
>1200℃热处理,氧恢复到间隙态。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)