简单说明如下,
半导体的压敏性,当外加电压变化达到某一特定阈值时,导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如,压敏电阻。 压敏电阻,是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
半导体的光敏性,在特定频率的光照下,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,光敏电阻。
半导体的热敏性,由于温度变化,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,热敏电阻。
半导体主要有以下几个方面的重要特性:1.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性,可以制作感温元件——热敏电阻,用于温度测量和控制系统中。值得注意的是,各种半导体器件都因存在着热敏特性,在环境温度变化时影响其工作的稳定性。2.光敏特性半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小无光照时,电阻率很大。例如,常用的硫化镉光敏电阻,在没有光照时,电阻高达几十兆欧姆,受到光照时.电阻一下子降到几十千欧姆,电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性,制作出多种类型的光电器件,如光电二极管、光电三极管及硅光电池等.广泛应用在自动控制和无线电技术中。3.掺杂特性在纯净的半导体中,掺人极微量的杂质元素,就会使它的电阻率发生极大的变化。例如.在纯硅中掺人.百万分之—的硼元素,其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm.也就是硅的导电能为提高了50多万倍。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,人为地精确地控制半导体的导电能力,制造成不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说,几乎所有的半导体器件,都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。4、压敏特性半导体受到不同的压力时,会呈现不同的电特性,可以用这种特性制作压敏电阻等元器件。需要更详细的解释,题主可以找专门的书来学习,请采纳谢谢题主。二极管具有单向导电性,所以正向,可以认为是小电阻或者说是无电阻,反向是超大电阻。。 原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体,拼结而成的,怎么说呢,一种半导体,含有很多允许自由电子通过的空穴,但自己却含有很少的自由电子叫P型半导体,而另一种则是还有较多自由电子,但却因此缺乏容纳电子的空穴叫N型半导体。。。如果正向加电压,电子从N向P移动,这样因为N有大量自由电子,P有大量允许电子通过的空穴空穴,这样电子很顺利的就过去了,电阻小,而反接就不一样了,由于流动的不顺畅,在拼接处,P的电子堆积,而N的拼接处电子流失,导致产生了一个和电源相反的电动势,平衡后就不会在产生电流了,不过电压足够大,这个平衡会被击穿的。。。。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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