led能32位吗

版本 : V1.1

发布日期 : 2008/08/28

文件名称 : SE50262_CHN_V11.pdf 页数 : 16

3232位位元LED LED定电流驱动芯片定电流驱动芯片定电流驱动芯片

SE50262

SE50262

LED 定电流驱动芯片

LED

3232 位元 L ED

芯片概述

SE50262是专为LED显示应用所设计的沉入电流式定电流驱动芯片。内建移位位元缓存器，数据锁存器，以及定电流电路组件于硅CMOS芯片上。32个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。过温断电功能则可保护芯片避免在高温环境使用下而毁损。

芯片特色

芯片特色

定电流输出：5 ~ 50mA(以一外挂电阻调整)

最大输出承受电压：17V

最大频率：25MHz

过温保护功能：过温断电(当芯片接面温度带大于180℃)

芯片工作电压：4.5V ~ 5.5V

应用

室内／户外LED显示屏

LED交通可变情报板(VMS)

封装型式

SSOP48

LED 开/短路侦测器

16信道定电流驱动器

16位锁存缓存器

传感器

基准电压

LED 开/短路 选择器

功能方块图

温度传感器

基准电压

32信道恒流驱动器

32比特锁存缓存器

32比特位移缓存器

接脚图

脚位定义

编号 脚位名称 功能

1 GND 接地端

2 SDI 串行数据输入端

3 CLK 频率信号输入端，串行输入数据于频率信号的上缘时被取样

4 LE 锁存信号输入端，影像数据于锁存信号上升沿时，从移位缓存器传出。反之，则为锁存状态。 11 NC 未使用

5~44 OUT0~31 沉入式电流输出端 (open-drain)

45 OE 输出致能端 高电位时(‘H’)时，所有输出通道关闭

低电位时(‘L’)时，所有输出通道开启 46 SDO 串行数据输出端

47 REXT 外接电阻端，外接电阻应接于REXT 与GND 端之间以设定电流值 48

VDD

芯片工作电源端

GND SDI CLK LE OUT0 OUT1 OUT2 OUT3 OUT4 OUT5 NC GND GND GND OUT6 OUT7 OUT8 OUT9 OUT10 OUT11 OUT12 OUT13 OUT14 OUT15

VDD REXT SDO OE OUT31 OUT30 OUT29 OUT28 OUT27 OUT26 GND GND GND GND OUT25 OUT24 OUT23 OUT22 OUT21 OUT20 OUT19 OUT18 OUT17 OUT16

VDD

INPUT

GND

VDD

OUT

GND

输入及输出等效电路

1. CLK 、SDI 、LE 、OE 埠

2. SDO 埠

最大最大范围范围 (T a=25℃, Tj(max) = 120℃)

特性

符号 最大工作范围 单位 电源电压 VDD -0.3 ~ 7.0 V 输入电压 VIN -0.3 ~ VCC+0.3

V 输出电流 IOUT 50 mA 输出电压 VOUT -0.3 ~ 17 V 输入频率频率 FDCK 25 MHz 接地端电流

IGND 1600

mA 消耗功率(四层板PCB) PD 1.2 ( SSOP48 : Ta=25°C)

W 热阻值 Rth(j-a) 79.2 (SSOP48 ) ℃/W 工作温度 Top -40 ~ 85 ℃ 存放温度

Tstg

-55 ~ 150

℃

推荐工作推荐工作参数参数

特性

符号 条件 最小值 一般值 最大值 单位 电源电压 VDD ― 4.5 5.0 5.5 V 输出电压 VOUT 驱动器电流导通*1

1.0 ― 0.5VCC 输出电压 VOUT 驱动器电流关闭*2

― ― 17 V

IO OUTn

5 ― 50 IOH VOH = VCC - 0.2V ― ― +1.2 输出电流

IOL VOL = 0.2V ― ― -1.4 mA VIH 0.8VCC ― VCC V 输入电压

VIL VCC = 4.5V ~ 5.5V 0 ― 0.2VCC V 输入频率频率

FDCK 单一芯片运行状态

― ― 25 MHz

锁存信号(LE)脉波宽度 tw LE TBD ― ― 数据信号(CLK)脉波宽度 tw CLK TBD ― ― 致能信号(OE)脉波宽度

tw OE TBD ― ― 串行输入数据(SDI)的启动时间 tsetup(D) TBD ― ― 串行输入数据(SDI)的保持时间 thold(D) TBD ― ― 锁存信号(LE)的启动时间 tsetup(L) TBD ―

―

锁存信号(LE)的保持时间 thold(L) TBD ― ― 开/短路的启动时间 tsetup(OS) TBD ― ― 开/短路侦测反应时间

tdet

VCC = 5.0V

TBD

―

―

ns

电气特性 (VCC=5V,Ta=25℃ 除非另有规定)

特性

符号 测试条件 最小值 一般值

最大值 单位 输入电压-高电位(“H” Level) VIH CMOS 逻辑准位 0.8VCC ― VCC 输入电压-低电位(“L” Level) VIL CMOS 逻辑准位 GND

― 0.2VCC V 输出端漏电流

IOL VOH=17V ― ― ±1.0 uA VOL IOL=1.4mA ―

― 0.2

串行数据输出端(S-OUT)电压 VOH IOL=1.2mA VCC-0.2

― V 输出电流差异 (信道与信道间)*1 IOL1 ― ― ±4 % 输出电流差异 (芯片与芯片间)*2

IOL2 VOUT = 1.5V Rrext =250Ω ― ―

±10 %

输出电流对输出电压之变异率 % / VOUT Rrext=250Ω VOUT= 1V~3V ― ±0.1 ±0.5

输出电流对电源电压之变异率 % / VCC Rrext=250Ω ― ±1 ±4

% / V

LED 开路侦测起始电压 V(od) ― 0.3 ― LED 短路侦测起始电压 V(sd) 所有输出通道导通 ― 0.5VCC ― V 过混断电起始温度

T(sht) 芯片接面温度 ― 180 ― ℃

IDD(off) 上电后除了VCC 与GND 令其它所有脚位开路 ― 3.0 ― IDD(off)

当输入信号为稳态 Rrext=250Ω 所有输出通道关闭 ―

4.9

―

IDD(on)

当输入信号为稳态 Rrext=250Ω 所有输出通道开启 ―

6.4

―

IDD(on)

当输入信号为稳态 Rrext=125Ω 所有输出通道关闭 ―

12.7

―

电源端电流*3

IDD(on)

当输入信号为稳态 Rrext=125Ω 所有输出通道开启

―

15.4

―

mA

*1 输出电流差异(信道与信道间)定义为”任意Iout -

平均Iout ” 与 ”平均Iout ”的比率。平均Iout =（Imax+Imin ）/2

*2 输出电流差异(芯片与芯片间) 定义为任选两芯片之最大输出电流与最小输出电流的落差范围。 *3 IO 除外。

交流特性 (VCC=5V,Ta=25℃ 除非另有规定)

特性

符号

测试条件 最小值

一般值 最大值 单位

OE-to-OUT31 ― 64 ― LE-to-OUT31 ― 57 ― 延迟反应时间 (低电位到高电位)

CLK-to-SDO tpLH

― 25 ― OE-to-OUT31

― 17.5 ― LE-to-OUT31

― 25 ― 延迟反应时间

(高电位到低电位)

CLK-to-SDO

tpHL ― 20 ― 电流输出端的电位爬升时间 tor ― 50 ― 电流输出端的电位下降时间 tof ― 15 ―

输出通道间导通时间的延迟 (OUT (n)-to-OUT (n+1)) tod

VIH = VCC VIL = GND

Rrext = 2.2K Ω VL = 5.0V RL = 180Ω CL *1

= 13pF

―

2.2

―

ns

交流特性测试电路

CLK

SDI SDO

CLK LE

O

U T 31 (cu r re n t )

LE 时序图

1. CLK-SDI, SDO

2. CLK-LE

3. LE-OUT31

4.OE-OUT31

OE

O U T31

(curre nt)

5.OUT n+1-OUT n

O U T n+1

(cu r re n t)

O U T n

(cu r re n t)

6.OS-LE, CLK (OE=’L’) CLK

(op e ra tio n1)

LE

(o pe ra tion1)

CLK

(op e ra tio n2)

LE

(o pe ra tion2)

OS

(o pe n s ho rt)

OS

(s ho rt o p e n)

输出定电流设定

32个通道的输出定电流值由一外挂电阻设定，外挂电阻连接于接地端(GND)与外挂电阻端(REXT)之间。改变外挂电阻值，可以在5mA到50mA的范围内调节电流。REXT 端的参考电压(Vrext)约为1.2V。下表为输出电流值与外挂电阻设定参考值：

Iout(mA) 50 40 30 20

Rext(Ω) 180 230 310 480

串行数据接口

串行输入数据(SDI)于时钟信号(CLK)上升沿时传入32位移位存器，数据‘1’代表其对应的输出通道之电流导通、数据‘0’则表示关闭。数据于锁存信号(LE)上升沿的通时传入32位锁存器中；反之，资料则被闩锁住。锁存信号应于「影像数据所对应到的最后一个时钟信号下降沿」之后送出。串行输出数据（SDO）于时钟信号上升沿的同时从原芯片传出至下一级芯片。当致能信号（OE）维持在高电位时，所有输出通道关闭；反之，致能信号（OE）在低电位时，所有输出通道开启。

T( °C)

正常正常(芯片仍可工作的高温范围) 110°C 180°C

过温断电功能

当于过热的环境下 *** 作时，若芯片内部的半导体接面温度(junction temperature)上升超过约180℃，芯片会自动将所有电流输出通道关闭。关闭后，芯片将逐渐降温，直到接面温度回复到安全工作温度，亦即低于110°℃之后，才会重新启动所有电流输出通道的运行。若长时间于高温环境下 *** 作，将可能造成芯片的永久损坏。

输出通道分出通道分时导时导时导通通

系统于同一时间导通所有输出通道可能造成较大的突波电流(in-rush current)。为

减轻所造成的影响，SE50262

设计让每个输出通道间存在一固定的单位延迟(约 1.5ns)。输出延迟规 律为：OUT15 与 O UT31 皆无延迟；OUT14 与 O UT30 相对于 OUT15 及 O UT31 分别有 1 单位(约 1.5ns)的延迟；OUT13 与 O UT29 相对于 O UT15 及 O UT30 则分别有 2 单位的延迟；其它依此类推。

最大接面温度T j(℃) – 环境温度T a(℃) 最大散热功率P d(W) =

热阻值(℃/ Watt)

Pd(W)=V C C(V)×I DD(A)+Vout0×Iout0×Duty0+……+Vout31×Iout31×Duty15<Pd(max)(W)

整体亮度

整体亮度调调整

SE50262并无内建整体亮度调整功能。为获得较低分辨率的整体亮度调整效果，使用者可以利用以下两种方法：一为提供一与锁存信号同步的PWM信号源来控制使能端；二为调变外挂电阻的阻值或是改变外挂电阻两端之电位差，请参考以下电路图：

功率

需注意到芯片的散热功率受到封装与环境温度的限制，故在设定最大输出电流值时需考虑到实际 *** 作条件。最大可散热功率可由下式来计算:

工作电压 24V

输出反向击穿电压Vce50V

输出低电平电流IOL50mA

工作环境温度TAE档: -20～85℃，L档: -40～150℃

贮存温度范围TS65～150 ℃

注意事项：

绝缘耐压为3KV的传感器可以长期正常工作在1KV及以下交流系统和1.5KV及以下直流系统中，6KV的传感器可以长期正常工作在2KV及以下交流系统和2.5KV及以下直流系统中，注意不要超压使用。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

原理：

磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。