武汉半导体实验室有哪些

武汉半导体实验室主要设有：

1、微电子器件实验室：以研究量子点、纳米结构、复合材料等新型半导体器件为主；

2、微电子器件物理实验室：以研究微电子器件的物理特性、发光特性、性能特性等为主；

3、半导体材料实验室：以研究半导体材料的光学性质、电学性质、热学性质、机械性质等特性为主；

4、信号处理实验室：以研究半导体信号处理技术、信号处理系统设计、非线性信号处理等技术为主；

5、微机电系统实验室：以研究微机电系统设计、微机电系统技术、微机电系统性能等技术为主；

6、特种半导体实验室：以研究特种半导体技术、特种半导体性能改善等技术为主；

7、系统设计实验室：以研究微电子系统设计、数字系统设计、系统结构设计等技术为主。

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑

前景很好。

半导体工程师是制造业的挤出人才，在各个产业、行业都有广泛的人才需求，因此，作为一名合格的半导体工程师，可以去很多企业展现自己的能力。

不论是一些简单的芯片制造厂商，还是一些高端的超大规模集成电路芯片的制造、研发企业，都需要具有很高水平的半导体工程师，所以说半导体工程师拥有良好的就业前景。

半导体技术工程师是指设计、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路的专业技术人员。

半导体技术工程师该职业一般需要具有良好的半导体、薄膜、凝聚态、物理学、精密仪器、测量测控等学历教育背景和较强的专业技能；并且具有一定的光伏技术工程、研发、生产工艺、实验室测量等领域的实践工作经验。

半导体行业人才匮乏，中高级人员尤其短缺。作为一名合格的半导体工程师，可以去很多企业展现自己的能力。

不论是芯片制造厂商，还是高端的超大规模集成电路芯片的制造、研发企业，都需要具有高水平的半导体工程师。半导体技术工程师还可进一步向版图设计工程师转变。且需要注册电气工程师执业资格。

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