半导体材料专家梁骏吾院士逝世,他都取得过哪些成就?

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发布讣告

根据媒体的报道来看,在2022年6月23日的时候,中科院半导体所发布讣告:中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世,享年89岁。消息一出,梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼,说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪,为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后,前往前苏联留学并获得了副博士的学位后,回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任,后一直在为高纯硅研制工作而努力,并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖,由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料,为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶,获得了1988年中科院科技进步一等奖,完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生,可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血,在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面,他获得了多项荣誉,如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号,在1997年的时候被评为中国工程院院士,先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次,国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次,上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

毛蔚什么时候加入到华为的目前还没有相关报道。

公开资料显示,女科学家毛蔚是江苏启东(籍贯吕四)人。1978年出生,1993年轻松考入启东中学实验班。

在第11届全国物理竞赛中,以最高总分的成绩获得冠军。

1994年10月,毛蔚考入北大附中全国物理实验班。成全班25人中唯一一位从高二选拔进来的学生,也是全班唯一女生。

1995年7月,在第26届国际物理奥林匹克竞赛中,又以优异成绩荣获冠军,成国际物理奥林匹克有史以来第一位女生金牌得主。

随后,毛蔚被清华破格录取,跨级进入清华电子工程系学习,攻读物理与光子技术方向,专注光通讯息领域的研究。

经过5年时间,毛蔚完成清华本硕连读,并以获全额奖学金的优异成绩考入美国加州大学伯克利分校。

毛蔚作为zg旅美留学生,她是丁肇中、李政道、杨振宁点名要求接见的天才美女,在美国留学工作期间成为半导体顶尖专家!

为报效祖国,她放弃亿万年薪毅然决然回国,帮助华为研发芯片,制造zg芯!

打破西方gj高科技技术垄断,推动zg5G发展,真不愧为华夏儿女,巾帼英雄!

敬佩毛蔚的决定,也希望gj出台更多的政策吸引优秀人才回国!


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