半导体中迁移率与电场强度的关系

半导体迁移率定义为单位电场中载流子移动速度，在较低场强下是与电场强度无关。而在高强度电场下，载流子会通过声子将能量传递到晶格，所以电场提供的能量不能完全作用于载流子，迁移率会降低，电流也会逐渐饱和。

具体参考刘恩科《半导体物理学》4.6.1章节欧姆定律的偏离

10厘米每伏乘以秒。迁移率是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。由电阻率可确定所含杂质的浓度，因此窄带的p型半导体迁移率为10厘米每伏乘以秒。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

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