湖南科技师范大学有半导体专业吗

有，经2021年10月25日党委常委会研究，决定成立湖南大学半导体学院（集成电路学院），为学校独立设置的二级教学科研单位。”2021年11月2日，一份下发到湖南大学各学院的文件，宣告了湖南高校首个半导体学院的成立。此前，湖南大学已与长沙市共建长沙半导体技术与应用创新研究院。

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2020年以来，疫情反复之下，全球性的“芯片荒”持续蔓延，涉及100多个行业。而从中兴到华为的一系列事件后，半导体芯片引起从中国政府到社会各界的广泛关注。

“把个人事业与国家需求结合。”在中国工程院院士、国家电能变换与控制工程技术研究中心主任罗安的推动下，“一学院一研究院”的成立可谓正逢其时。

湖南大学校长段献忠对半导体学院和研究院寄予厚望——“提升第三代半导体产业的创新力和竞争力，主动服务好经济社会高质量发展”。

“不管技术竞争还是市场竞争，其背后都是人才的竞争。”省政协委员、湖南大学半导体学院首任院长廖蕾告诉政协融媒记者，半导体学院旨在为国家培养一批优秀的半导体专业人才，提升湖南的产业创新力和国际竞争力，推动“三高四新”战略实施，助力长沙成为世界半导体技术创新中心。

国内的芯片产业，一直以来都是非常的受市场关注的，尤其是第三代半导体，最近在市场上非常的火热，这篇文章就跟大家聊聊这个话题，介绍几家这个领域比较好的公司！

乾照光电：公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

欧陆通：氮化镓为第三代半导体主要材料之一，目前公司使用的氮化镓技术属于第三代半导体应用技术，主要应用于公司电源适配器产品中。

富满电子：在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。产品规格可对标安森美等海外厂商产品，具备较高的性价比优势。目前，公司相关产品目前已导入M客户和公牛等知名厂商的供应链，市场拓展稳步推进。

京泉华：公司电源适配器类的系列产品适用于多款电子产品，其中氮化镓技术产品PD 65W快充电源适配器已经开始批量生产；公司规划了一系列氮化镓技术产品，后续会陆续推出更多的产品应用到相关领域。

奥海科技：公司已自主研发出快充氮化镓产品。氮化镓充电器属于第三代半导体领域重要技术产品，公司深耕充电器行业十几载，具备平台优势。

综合以上，就是几家，在A股市场上，做第三代半导体做的比较好的上市公司，希望这篇文章能给大家带来帮助，感兴趣的投资者们一定要多多的了解和学习！

经过近十年的发展，二维电子学已经取得了巨大进步，但在大面积单晶制备、关键器件工艺、与主流半导体技术兼容性等方面仍存在挑战。

南京大学电子科学与工程学院王欣然教授课题组聚焦上述问题，研究突破二维半导体单晶制备和异质集成关键技术，为后摩尔时代集成电路的发展提供了新思路。相关研究成果近期连续发表在Nature Nanotechnology上。

半导体单晶材料是微电子产业的基石。与主流的12寸单晶硅晶圆相比，二维半导体的制备仍停留在小尺寸和多晶阶段，开发大面积、高质量的单晶薄膜，是迈向二维集成电路的第一步。然而，二维材料的生长过程中，数以百万计的微观晶粒随机生成，只有控制所有晶粒保持严格一致的排列方向，才有可能获得整体的单晶材料。

蓝宝石是半导体工业界广泛使用的一种衬底，在规模化生产、低成本和工艺兼容性方面具有突出的优势。合作团队提出了一种方案，通过改变蓝宝石表面原子台阶的方向，人工构筑了原子尺度的“梯田”。

利用“原子梯田”的定向诱导成核机制，实现了TMDC的定向生长。基于此原理，团队在国际上首次实现了2英寸MoS2单晶薄膜的外延生长。

得益于材料质量的提升，基于MoS2单晶制备的场效应晶体管迁移率高达102.6 cm2/Vs，电流密度达到450 μA/μm，是国际上报道的最高综合性能之一。同时，该技术具有良好的普适性，适用于MoSe2等其他材料的单晶制备，该工作为TMDC在集成电路领域的应用奠定了材料基础。

大面积单晶材料的突破使得二维半导体走向应用成为可能。在第二个工作中，电子学院合作团队基于第三代半导体研究的多年积累，结合最新的二维半导体单晶方案，提出了基于MoS2 薄膜晶体管驱动电路、单片集成的超高分辨Micro-LED显示技术方案。

Micro-LED是指以微米量级LED为发光像素单元，将其与驱动模块组装形成高密度显示阵列的技术。与当前主流的LCD、OLED等显示技术相比，Micro-LED在亮度、分辨率、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有跨代优势，是国际公认的下一代显示技术。然而，Micro-LED的产业化目前仍面临诸多挑战。

首先，小尺寸下高密度显示单元的驱动需求难以匹配。其次，产业界流行的巨量转移技术在成本和良率上难以满足高分辨率显示技术的发展需求。特别对于AR/VR等超高分辨应用，不仅要求分辨率超过3000PPI，而且还需要显示像元有更快的响应频率。

合作团队瞄准高分辨率微显示领域，提出了MoS2 薄膜晶体管驱动电路与GaN基Micro-LED显示芯片的3D单片集成的技术方案。团队开发了非“巨量转移”的低温单片异质集成技术，采用近乎无损伤的大尺寸二维半导体TFT制造工艺，实现了1270 PPI的高亮度、高分辨率微显示器，可以满足未来微显示、车载显示、可见光通讯等跨领域应用。

其中，相较于传统二维半导体器件工艺，团队研发的新型工艺将薄膜晶体管性能提升超过200%，差异度降低67%，最大驱动电流超过200 μA/μm，优于IGZO、LTPS等商用材料，展示出二维半导体材料在显示驱动产业方面的巨大应用潜力。

该工作在国际上首次将高性能二维半导体TFT与Micro-LED两个新兴技术融合，为未来Micro-LED显示技术发展提供了全新技术路线。

上述工作分别以 “Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire” （通讯作者为王欣然教授和东南大学王金兰教授）和 “Three dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically-thin transistor matrix” （通讯作者为王欣然教授、刘斌教授、施毅教授和厦门大学张荣教授）为题， 近期在线发表于Nature Nanotechnology。

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