碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。
1.碳化硅高纯粉料
碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。
2.单晶衬底
单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前,SiC单晶生长方法有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。
3.外延片
碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。目前,碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法(CVD)、液相法(LPE)、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。
4.功率器件
采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件,具有耐高温、高频、高效的特性。
5.模块封装
目前,量产阶段的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。模块封装可以优化碳化硅功率器件使用过程中的性能和可靠性,可灵活地将功率器件与不同的应用方案结合。
6.终端应用
在第三代半导体应用中,碳化硅半导体的优势在于可与氮化镓半导体互补。由于SiC器件高转换效率、低发热特性和轻量化等优势,下游行业需求持续增加,有取代SiQ器件的趋势。
是的,硅溶胶可以有粉状,也可以有液体状、悬浮液状或胶体状,取决于添加剂的类型和用量。硅溶胶是由硅烷类化合物组成的混合物,可以用于硅橡胶的制备、涂料的配制和改性改善涂料的性能。硅溶胶粉末状具有良好的分散性、稳定性和结构性,可以用作分散涂料中的填料、助剂或涂料树脂中的改性剂,可改善涂料的粘度、抗折性、耐磨性、耐污渍性和耐热性等性能。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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