12V的半导体制冷片的驱动电路

电路不是很懂，仅供参考，不求分。这是一个由基极引出光耦控制的N沟道增强型集成稳压管的场管进行开关控制的电路，本图中用于控制制冷片的功率（你的图上看上去像是耗尽型，查资料确定是增强型）。光耦是东芝公司生产的一种通用光耦，八脚封装，常用与晶体管电压逆变，IGBT栅极驱动，MOS管驱动等，正向电流直流20毫安。场管是通用型100V28A150W，V型槽MOS场效应管。增强型的场管一般呈关闭状态，栅极施加一定电压后源极与漏极间开通允许电流流过。C1C2滤波，一般是一个电解电容一个是瓷片电容，一般取电解电容10uF，瓷片电容取0.01uF。R1限流防止光耦损坏，根据输入电压和光耦最大电流计算安全阻值。电感用于蓄电，在场管断开之后释放存储的电量，二极管用于消除电感断电后的反向电动势避免产生高压击穿场管。电感的电感量和功率要根据半导体制冷片的功耗选择，本图应该是功率电感，厂家的手册上写的是7.5nH电感量。

电流过大触发了充电宝中保护电路保护。

由于半导体制冷片（TEC1-12706）最大工作电压为12V，最大电流为4A，功耗达到了12*4=48W。不算损耗，5V电压端的电流为48÷5=9.6A。已经远远大于充电宝输出电流2A的限制。因此电源保护了。但是需要增加充电宝输出电流需要改电路，比较麻烦，建议去掉保护板或更换其他电源。

选足够功率的场效应管作功率驱动件，并选相应MOSFET管驱动器，比如IR2304等，做好桥路配置，（参考datasheet）将PWM信号输到IR2304的控制端，即可驱动供电系统给制冷片工作。

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