1.CP (Chip Probing 芯片/晶片+测试/探测): 顾名思义,测试芯片的电性参数。测试的是晶圆中的每一个芯片(die),目的是剔掉次品以减少后续封装的成本
2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积): 利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD(金属氧化物~)和PECVD(等离子体增强~)
3.Datasheet (规格/说明书): 总结产品、机器、部件(例如电子部件)、材料、子系统(例如电源)的性能和其他特性的文件
4.Die (芯片): 单个完整的集成电路器件
5.Eg (band gap 禁带宽度): 也叫“能带”,是固体中没有电子状态的能级范围,是决定固体材料导电特性的关键参数。具有大禁带宽度的属于绝缘体;小禁带宽度的属于半导体;没有或具有很小禁带宽度的为导体
6.FT (Final Test 出厂测试): 对封装好的芯片进行测试。通常测试项比CP要少得多,因为之前已经测过了
7.RDS(on) 导通电阻: 也简称“RDS”或者“Ron”,器件非常重要的一种特性。定义:晶体管导通后两端电压与导通电流之比。其值越大意味着电流/功率损耗越大,因此一般越小越好。
ROM是只读内存(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。德州仪器公司(Texas Instruments,简称TI)成立于1930年,设计并生产模拟器件、数字信号处理以及微控制器半导体芯片,是模拟器件解决方案和数字嵌入及应用处理半导体解决方案领先的半导体供应商。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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