关于半导体物理的mis结构问题

关于半导体物理的mis结构问题,第1张

MOS为Metal-Oxide-Semiconductor 对应的为 金属-氧化物-半导体,MOS管又有P型MOS管和N型MOS管之分,MOS管构成的集成电路叫MOS集成电路,PMOS管和NMOS管互补共同构成的MOS集成电路叫CMOS集成电路 Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体。BIOS 为Basic Input Output System,基本的输入输出系统,它是为计算机提供最底层,最基本的硬件设置和控制。在计算机中CMOS的作用主要作为RAM存放BIOS的相关设置,你可以发现每块主板上都有一块纽扣电池,就是给CMOS供电的,如果将电池卸下,BIOS设置被重置,CMOS中的信息丢失。

MIS结构中,S层(半导体层)表面存在大量表面态,造成费米能级钉扎效应。因此费米能级不变。而PN结中结区几乎无表面态(同质PN结理论上无表面态,异质PN结会有)。费米能级钉扎效应的具体解释,见百度百科,链接如下: http://baike.baidu.com/link?url=onmx5OQ1KsPZNxMUMKooxuhA0ZyUfdnQkqTbkbBkr4tVMUMC61xq6Yo4Te6tnjhrIK4JDGcZ_JWaYjcn-TuyJa

取决于M I S的三个的费米能级,S的掺杂是P型还是N型,金属的费米能级就是功函数,这个和二极管原理一样的。 把三个费米能级计算出来,平移下就可以了,所有的Ef在你条直线上,把其它能级用曲线连接起来就好了。能级计算 Ei-Ef=kt/q*ln(Na/Ni)


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