静电服的导电丝的电阻及一些规格和参数是多少详解？？？

测经纬密度：用经纬密度镜分别测量面料的经纬密度，并进行比较。

测电阻：用表面电阻测试仪分别测量面料的经向及纬向电阻，并进行比较。

比较的原则是：

选择电阻比较小的；

如电阻相同，选择电阻值稳定的；

注意区别面料在后整理时是否加抗静电剂（适用于只有经向加导电纤维的导电绸，俗称条纹布），方法是用表面电阻测试仪分别测经向及纬向的电阻，如相同，说明加有抗静电剂，那么所测电阻大小并不代表真实水平。

看显微结构：用高倍放大镜看布面质量，比较纤维之间的缝隙大小（与滤尘率有关），看纤维表面是否有附着物（与发尘量有关），看纤维排列是否整齐、松紧一致（如松紧不一致在穿着及洗涤时松的部分纤维容易磨毛，以后穿着时会发尘）。

检查导电纤维：导电纤维是防静电超净面料中的关键原料，检查导电纤维就是看是否按照规范加入导电纤维以及加入的是何种导电纤维。

检查的办法是：用剪刀小心地沿着黑色导电纤维的边缘将面料剪开，并将这黑色的导电纤维分离出来，用放大镜观察其中是否有一根或几根比较粗的纤维，并用表面电阻测试仪测一下分离出的导电纤维的电阻。连续拆出几根，可基本判断出面料中的每一根黑丝是否都含有导电纤维。（导电绸选用的是碳素有机导电纤维，是黑色或灰色的，一般在20D左右 ，在1F～6F之间。为了达到织布时的强度要求，需要并一根普通的黑色或白色的涤纶纤维）。

对比织物工艺参数：要求供应商提供面料的基本参数，如纱线纤度（多少D，多少F）、经纬密度、织物组织、成品门幅、染色缩率以及使用何种导电纤维。

FMX-003静电测试仪产品参数 测定范围 静电测试仪带电电位测定：0～±1.49kV(Lo有效距离)、±1.0kV ～±20.0kV(Hi有效距离)

离子平衡测定：0 ～±200 V 测定距离 25mm±0.5（从被测物体的距离、带电电位测定时） 应答速度 1秒以内 取样调查速度 5回/秒 测定精度 ±10%（指示值） 可 *** 作环境 10℃～40℃、60%RH 以下 表示 wide LCD表示（数显数值及vague障碍区域表示） 障碍区域表示 电压、补助

右侧一半（正方面）红色显象LCD （附电源ON时5秒计时器功能）

左侧一半（减方面）蓝色显象LCD 关于棒的分

辨率（棒1个） ・±0.1kV (Lo 有效距离)

・±1.5kV (Hi 有效距离)

・±15V（离子平衡测定时） 数显数值表示 3位表示自动有效距离转换（带电电位测量时）

□.□□kV⇒0.0～±1.49kV (Lo 有效距离)

□□.□kV⇒±1.0 kV ～±20.0kV (Hi 有效距离)

□□□V⇒0 ～±200V（离子平衡测定时） 各种方式

表示 文字或插图表示

[IB]：离子平衡测定方式

[HOLD]：手柄动作表示

[A.OFF]：表示自动电源停止功能时

[Err]：表示传感器出现故障时数字数值表示不 蜂鸣音 根据电源 *** 作等「P」的蜂鸣响 电源自动关闭 约5分种的使用电源自动关闭电源功能

电源ON时「POWER」按钮按3秒以上的话，能停止这个功

能（电池可连续测量到消耗为止） 手柄 测量时推HOLD按钮的话，数字数值、vague障碍区域固定

如再一次推回转到通常测量 数字数显0 表示数值在动作容许范围数字零时如按「ZERO」按钮

的话数字数值及vague障碍区域成为零 LED照明 附有LED照明，也可在暗处读数据。

根据按电源ON时「POWER」按钮时间的长度，可选择熄灯或点灯 电源 9V干电池(006P)1本

最大动作时间：约30分 外形寸法 115mm (L) x 73mm (W) x 25mm (H)：无阳极离子平衡

123mm (L) x 73mm (W) x 25mm (H)：附阳极离子平衡 重量 约140g（带电测定时，含电池）

约170g（离子平衡测定时，电池、含阳极离子平衡） 材质 导电性ABS树脂 附属品 离子平衡阳极、专用地线(1m)、soft case、电池

常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns普通检波二极管2AP92.5402025051501002AP11101102501fH(MHz)402AP17101501301032000.960402101705022501030B45C60D75E90A20B30C40D50E601.520301501002CK75AD1502CK76AD200类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns整流极管2CZ52BH20.1125600同2AP普通二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数7、-数型号、不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/pA反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件、参工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度50oC稳定电流下稳定电流下环境温度10oC型、遨稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流/mA流阻/Q数/10-4/oC功率/W2CW512.53.5715-92CW523.24.5552-82CW5345.841150-642CW545.56.5103830-352CW5678.8271570.252CW578.59.8260.52082CW591011.8203092CW6011.512.55194092CW10345.850165120-642CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.5103030303030IC=1mABVceo(V)12121824IC=1mA直流参数Icbo(MA)12121212Vcb=-10VIceo(MA)500500300300Vce=-6VIEBO(MA)121212500500500500Vcb=-6VIE=1mANp(dB)一8一一Vcb=-2VIE=0.5mAf=1kHzh；e(kO)0.64.50.64.50.64.50.64.5Vcb=-6VIE=1mAf=1kHzh”e(x10)2.22.22.22.2hoe(PS)80808080hfe一一一一hFE色标分档（红）2560；（绿）50100；（蓝）90150管脚EC（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件极限参数PcM(mW)200200ICM(mA)200200Tjm(oC)7575BVcbo(V)-20-30IC=4mABVceo(V)-10-15IC=4mABVebo(V)-7-10IE=4mA直流参数ICBo(MA)3015VcR=-6VIceo(MA)1000700Vce=-6VIEpo(MA)3015Veb=-6VVbes(V)0.60.6VCE=-1VIC=175mAVces(V)0.6568VCB=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚EC(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件极限参数PcM(mW)125125125125Ta=25oCICM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40IC=1mABVceo(V)-6-12-18-24IC=2mABVebo(V)-6-10-10-10IE=1mA直流参数Icbo(MA)2520126Vcb=6VIceo(MA)1000800600400Vce=6VIebo(MA)2520126Veb=6VVbes(V)0.60.60.60.6Vce=6VIC=100mAVces(V)0.650.650.658f465aVcb=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚E)C(1)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PcmNW)100100100100ICM(mA)20202020bVcbo(V)30403040IC=100(iAbVceo(V)20302030IC=100(iAbVebo(V)4444IE=100pA直流参数IcBO(MA)0.010.010.010.01Vcb=10vIceo(MA)0.10.10.10.1Vce=10vIebo(MA)0.010.010.010.01Veb=1.5VVbes(V)1111IC=10mAIB=1mAVces(V)11130303030VCE=10VIC=3mAfT(MHz)150150300300Vcb=10VI,=3mAf=100MHzR=5Q交流参数Kp（dB）7777Vcb=-6VIE=3mAf=100MHzCb（PF）44440604060IC=100|iABVceo（V）30453045IC=100|iABVebo（V）4444IE=100pA直流参数Icbo（MA）0.50.50.50.5VcR=10VIceo（MA）1111Vce=10VIebo（uA）0.50.50.50.5Veb=1.5VVbes（V）1111IC=100mAIB=10mAVces（V）0.60.60.630303030Vce=10VIC=50mA交流参数fT（MHz）150150300300Vcb=10VlE=50mAf=100MHz%=50KP（dB）6666Vcb=-0VI口=50mAf=100MHzCob（pF）101010150管脚EBC6常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA)0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夹断电压VGS(V)119|119|119|119|B19|119|2000200010003000100040002000最大漏源电压BVds(V)2020202020122020最大耗散功率PDNI(mW)10010010010010025100100栅源绝缘电阻rGS(0)108108108108108108109100管脚或CSDSG

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