半导体行业芯片封装与测试的工艺流程

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

金镀层主要镀在镍镀层上，镍镀层(低应力镍、半光亮镍、光亮镍、化学镍)3～8.9μm，作为金和铜、铁之间的阻挡层，主要作用是防止金与铜、铁之间相互扩散。底镀层的亮度和整平情况对改善薄金层亮度有明显作用。金也可镀在铜、黄铜等基体上，但长期使用后铜会扩散到金镀层，失去金镀层的作用。对钢、铜、银及其合金基体而言，金镀层为阴极性镀层。镀层的孔隙影响其防护性能。

根据预镀零件基体材料的不同，镀金工艺过程也稍有差异。在铜和铜合金上需要镀上→层光亮镍→闪镀金→镀金；在铁及铁合金基体上需要镀氰化铜→光亮镀镍→闪镀金→镀金或镀暗镍→光亮镀镍→闪镀金→镀金；在不锈钢上镀金需要进行活化处理，迅速水洗后再闪镀金；对于镍或高镍合金上镀金需要用闪镀镍后迅速水洗再闪镀金。闪镀金的目的是使镀金与基体的结合良好，常采用酸性溶液，用蒸馏水清洗后再镀金。闪镀金对厚度超过5μm的镀金层尤为重要。

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