真空二极管和半导体二极管区别？

一、工作原理不同，真空电子二极管是依靠阴极发射电子到阳极实现导通，而半导体二极管是依靠PN结的单向导通（肖特基管特殊）；二、体积、功耗不同，电子真空管的体积、功耗较大；三、电子真空管在开始工作前需要预热，而半导体二极管不需要预热。目前在绝大部分多数场合已经淘汰了电子真空管。

原理不一样，一个靠热电子发射（冷阴极要靠电场），一个靠PN结的单向导电性能。

正向导电性能不一样，内阻不一样。

电子管超载性能好。

体积不一样，电子管体积要大几百倍。

自身功耗不一样，电子管一般需要加热，效率低。

总的看。半导体管优于电子管。

1）两者都是光源，区别在于发光的功率不同。

2)

辐照角度，或者说色散角度不同，决定了使用时是否需要加透镜准直；也意味着光源照射物体的远近区别。

3)

安全性：LED不需要注意太多，除非是紫外的；LD需要注意使用安全，强光会伤害眼睛

4）成本价格：相差很大

5）长期使用可靠性：都是半导体器件，比较可靠；如果LED的光学组件老化不是很快，那么差别不大

6）电源：大电流恒流驱动与小电流恒压驱动

7）光谱：都是线光谱，LED的线宽宽些

8）响应速率：如果都是GaAs的材料，响应速率差别不大，波形上升沿调制相差不大（我个人观点，未实际测量过）

9）发光功率衰退，这两种器件都有，所以，一般考虑的是老化后使用时的功率

10）应用方面，个人感觉是民用和仪器使用方面的差别，要求重复性好，可靠性高，就用LD。

其它的，我也暂时想不到了，呵呵。

---