中国半导体发展现状和前景

中国半导体发展现状和前景,第1张

中国半导体的发展无法只通过数据判断,就如同曾经大基金对半导体的扶持,也无法当下就出现明显的数据增长。发展并不是空口说的,半导体的发展更多的依靠实在的动作。

首先,在目前这个环境下,半导体发展的前景是可以得到认可的,它是电子信息产业中不可忽视的一环,而电子信息产业正是目前的中心产业,该产业的社会整体价值。全球经济回暖将刺激半导体行业的高速发展。面对着社会局势的快速改变,社会经济的极大进步和互联网设备,云计算,电子商务等行业的高速发展,最需要的就是智。

半导体行业属于一个高技术行业,受到的国家补贴十分多,同时受到的关注度也不小,大多数的高技术行业都具有高壁垒性,但半导体则不然,它的壁垒并不高。

半导体分立器件制造行业主要上市公司:目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。

本文核心数据:功率半导体分立器件产量、产值、市场结构

1、功率分立器件产量和产值持续上涨

功率半导体分立器件指额定电流不低于1A,或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年,中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年,中国功率半导体分立器件产量为4885亿只,较2019年同比增长8%。2020年,中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元,较2019年同比增长3%。

2、MOSFET产品优势凸显、需求量大

功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类,其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴,SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中,MOSFET和IGBT属于全控型分立器件,MOSFET根据应用特性的不同,还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。

MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位,2019年占市场规模的36.3%,其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管,市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。

MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势,MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下,按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元,复合年增长率约9.2%。

注:市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。

3、功率分立器件市场规模将继续增长

展望未来,依据全球需求的普遍上升,加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能,中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年,中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只,产值将超过500亿元。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告


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