电子元件生产工艺流程图

一、IC生产工艺流程图

整个流程分为六个部分：单晶硅片制造，IC设计，光罩制作，IC制造，IC测试和封装。

1、单晶硅片制造

单晶硅片是用来制造IC的，单晶硅片制造流程主要有拉晶、切割、研磨、抛光和清洗。

2、IC设计

IC设计主要是设计电路，并把设计好的电路转化为版图。

3、光罩制作

光罩制作是指将IC设计中心已设计好的电路版图以同样比例或减小比例转化到一块玻璃板上。

4、IC制造  

IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。

5、IC测试 

在产品销售给客户前，为了确保IC的质量，在IC封装前（晶圆点测）或者封装后（终测）要对其功能进行测试。  

6、IC封装 

IC封装是指晶圆点测后对IC进行封装，其流程主要有晶圆切割、固晶、打线、塑封、切筋和成形、打码、终测、分选和编带。 

二、贴片电阻生产工艺流程图

工艺过程主要有三大基本 *** 作步骤：涂布、贴装、焊接。

1、涂布   

涂布是将焊膏（或固化胶）涂布到PCB板上。涂布相关设备是：印刷机、点膏机。   

涂布相关设备是印刷机、点膏机。   

涂布设备：精密丝网印刷机、管状多点立体精密印刷机。   

2、贴装   

贴装是将器件贴装到PCB板上。   

相关设备贴片机。   

贴装设备：全自动贴片机、手动贴片机。   

3、回流焊： 

回流焊是将组件板加温，使焊膏熔化而达到器件与PCB板焊盘之间电气连接。   

相关设备：回流焊炉。

三、电容生产工艺流程图

1、原材料：陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)； 

2、球磨：通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)； 3、配料——各种配料按照一定比例混合； 4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状； 

5、流沿：将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)； 

6、印刷电极：将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)； 

7、叠层：将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)； 

8、层压：使多层的坯体版能够结合紧密； 

9、切割：将坯体版切割成单体的坯体； 

10、排胶：将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除； 

11、焙烧：用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；

12、倒角：将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒； 

13、封端：将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)； 

14、烧端：将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体； 

15、镀镍：将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电极端铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透，导致电容老衰)； 

16、镀锡：在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)； 

17、测试：该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的精确度等) 

扩展材料：

流程图的基本符号 

1、设计流程图的难点在于对业务逻辑的清晰把握。熟悉整个流程的方方面面。这要求设计者自己对任何活动、事件的流程设计，都要事先对该活动、事件本身进行深入分析，研究内在的属性和规律，

在此基础上把握流程设计的环节和时序，做出流程的科学设计，研究内在属性与规律，这是流程设计应该考虑的基本因素。 也是设计一个好的流程图的前提条件。

2、根据事物内在属性和规律进行具体分析，将流程的全过程，按每个阶段的作用、功能的不同，分解为若干小环节，每一个环节都可以用一个进程来表示。在流程图中进程使用方框符号来表达。

3、既然是流程，每个环节就会有先后顺序，按照每个环节应该经历的时间顺序，将各环节依次排开，并用箭头线连接起来。 箭头线在流程图中表示各环节、步骤在顺序中的进程，某环节，按需要可在方框中或方框外，作简要注释，也可不作注释。 

4、经常判断是非常重要的，用来表示过程中的一项判定或一个分岔点，判定或分岔的说明写在菱形内，常以问题的形式出现。对该问题的回答决定了判定符号之外引出的路线，每条路线标上相应的回答。

参考资料：百度百科-流程图分析法

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

液晶生产工艺流程图（图）

● 通过前玻璃基板/彩色滤光基板工艺过程形成精确排列的彩色滤光层。

● 薄膜基板工艺形成薄膜晶体管液晶（TFT）阵列及显示器像素控制所用其它电子元件。每个像素一般对应三个薄膜晶体管液晶（TFT），每个像素控制一个共同构成一个像素的“色点”。薄膜形成工艺采用与半导体制造技术相类似的CVD、Etch及PVD等工艺技术。此类工艺步骤应反复数次，连续膜层方可形成一个功能元件（图2）。

图2. TFT-LCD的典型阵列工艺步骤

● 两块基板合二为一，中间注入液晶材料。

● 最后组装背光及驱动电子元件，制造出TFT-LCD 模块

液晶显示器的结构

一般地，TFT-LCD由上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件组成，其中：下基板组件主要包括下玻璃基板和TFT 阵列，而上基板组件由上玻璃基板、偏振板及覆于上玻璃基板的膜结构，液晶填充于上、下基板形成的空隙内。图1.1显示了彩色TFT-LCD的典型结构，图1.2图进一步显示了背光灯模组与驱动电路单元的结构。

在下玻璃基板的内侧面上，布满了一系列与显示器像素点对应的导电玻璃微板、TFT半导体开关器件以及连接半导体开关器件的纵横线，它们均由光刻、刻蚀等微电子制造工艺形成，其中每一像素的TFT半导体器件的剖面结构如图1.3所示。

在上玻璃基板的内侧面上，敷有一层透明的导电玻璃板，一般为氧化铟锡（Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料制成，它作为公共电极与下基板上的众多导电微板形成一系列电场。如图1.4所示。若LCD为彩色，则在公共导电板与玻璃基板之间布满了三基色（红、绿、蓝）滤光单元和黑点，其中黑点的作用是阻止光线从像素点之间的缝隙泄露，它由不透光材料制成，由于呈矩阵状分布，故称黑点矩阵（Black matrix）。

液晶显示器的制造工艺流程

彩色TFT-LCD制造工艺流程主要包含4个子流程：TFT加工工艺（TFT process）、彩色滤光器加工工艺（Color filter process）、单元装配工艺（Cell process）和模块装配工艺（Module process）[1][2]。各工艺子流程之间的关系如图2.1所示。

图2.1 彩色TFT-LCD加工工艺流程

加工工艺（TFT process）

加工工艺的作用是在下玻璃基板上形成TFT和电极阵列。针对图1.3所示TFT和电极层状结构，通常采用五掩膜工艺，即利用5块掩膜，通过5道相同的图形转移工艺，完成如图1.3TFT层状结构的加工[2]，各道图形转移工艺的加工结果如图2.2所示。

第1道图形转移工艺 （b） 第2道图形转移工艺 （c） 第3道图形转移工艺

第4道图形转移工艺 （e） 第5道图形转移工艺

图2.2 各道图形转移工艺的加工结果

图形转移积工艺由淀积、光刻、刻蚀、清洗、检测等工序构成，其具体流程如下[1]：

开始？玻璃基板检验？薄膜淀积？清洗？覆光刻胶

曝光？显影？刻蚀？去除光刻胶？检验？结束

其中刻蚀方法有干刻蚀法和湿刻蚀法两种。上述各种工序的加工原理与集成电路制造工艺中使用的相应工序的加工方法原理类似，但是，由于液晶显示器中的玻璃基板面积较大，TFT加工工艺中采用的加工方法的工艺参数和设备参数有其特殊性。

滤光板加工工艺

玻璃基板 （b） 阻光器加工 （c） 滤光器加工

滤光器加工 （e） 滤光器加工 （f） ITO淀积

图2.3滤光器组件的形成过程

滤光板加工工艺的作用是在基板上加工出如图1.4所示的薄膜结构，其流程如下：

开始？阻光器加工？滤光器加工？保护清洗？检测？ITO淀积？检测？结束

上述主要工序或工艺的加工效果示意如图2.3所示。

在滤光基片上设置的一系列由不透光材料制成的并以矩阵形状分布的黑点，它们通过相应的图形转移工艺（也称为阻光器加工工艺）加工出，并安排于滤光器加工工艺的开始阶段，所述图形转移工艺依次包含如下工序：溅射淀积、清洗、光刻胶涂覆、曝光、显影、湿法刻蚀和去除光刻胶，各工序基本原理分别如图 2.4（a）-（g）所示。

溅射淀积 （b） 清洗 （c） 光刻胶涂覆 （d） 曝光

显影 （f） 湿法刻蚀 （g） 去除光刻胶

图2.4阻光器图形转移工艺

阻光器加工完毕后，进入滤光器加工阶段，三种滤光器（红、绿、蓝）分别通过3道图形转移工艺完成加工，由于三种滤光器直接由不同颜色的光刻胶制成，该图形转移工艺与前述图形转移工艺有所不同，它不包含刻蚀和除光刻胶的工序。其具体流程为：彩色光刻胶涂覆？曝光？显影？检验，各工序的原理示意如图 2.5所示。

阻光器加工结束后，经过清洗和检测工序后，进入ITO淀积工艺，最后在滤光器层上敷上一层导电玻璃氧化铟锡（Indium Tin Oxide, 简称ITO），形成滤光板的公共电极。

彩色光刻胶涂覆 （b）曝光 （c）显影 （d）检验

图2.5彩色滤光器图形转移工艺

液晶显示器的典型制造工艺

液晶显示器的制造工艺与集成电路的制造工艺基本相似，不同的是液晶显示器中的TFT层状结构制作于玻璃基板上，而不是硅片上，此外，TFT加工工艺所要求的温度范围是300~500oC，而集成电路制作工艺要求的温度范围是1000 oC。

淀积工艺

应用于液晶显示器制造工艺的淀积（Deposition）方法主要有两种：一种是离子增强型化学气相淀积法，另一种是溅射淀积法。离子增强型化学气相淀积的基本原理是：将玻璃基板至于真空腔室中，并且加热至一定的温度，随后通入混合气体，同时RF电压施加于腔室电极上，混合气体转变为离子状态，于是在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。溅射淀积法的基板原理是：在真空室中，利用荷能粒子轰击靶，使其原子获得足够的能量而溅出进入气相，然后在工件表面淀积出与靶相同材料的薄膜。一般地，为不改变靶材的化学性质，荷能粒子为氦离子和氩离子。溅射淀积法有直流溅射法、射频溅射法等多种。

光刻工艺

光刻工艺（Photolithography process）是将掩膜上的图形转移至玻璃基板上的过程。由于LCD板上的刻线品质取决于光刻工艺，因此它是LCD加工过程中最重要的工艺之一。光刻工艺对环境中的粉尘颗粒很敏感，因此它必须置于高度洁净的室内完成。

刻蚀工艺

刻蚀工艺分为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺，湿法刻蚀工艺用液体化学试剂以化学方式去除基板表面的材料，其优点是用时短、成本低、 *** 作简单。干法刻蚀工艺是用等离子体进行薄膜线条腐蚀的一种工艺，按照反应机理可分为等离子刻蚀、反应离子刻蚀、磁增强反应离子刻蚀和高密度等离子刻蚀等类型，按结构形式又可分为筒型、平行平板型。干法刻蚀工艺的优点是横向腐蚀小，控制精度高，大面积刻蚀均匀性好，利用ICP技术还可以刻蚀垂直度和光洁度都非常好的镜面，因此，干法腐蚀在制作微米及深亚微米，纳米级的几何图形加工方面，有很明显的优势。

液晶显示器制造工艺的发展趋势

的发展趋势

由于玻璃底板的大小对生产线所能加工的LCD最大尺寸，以及加工的难度起决定作用，所以LCD业界根据生产线所能加工的玻璃底板的最大尺寸来划分生产线属于哪一代，例如5代线最高阶段的底板尺寸是1200X1300mm，最多能切割6片27英寸宽屏LCD-TV用基板；6代线底板尺寸为 1500X1800mm，切割32英寸基板可以切割8片，37英寸可以切割6片。7代线的底板尺寸是1800X2100mm，切割42英寸基板可以切割8 片，46英寸可以切割6片。图4.1给出了1～7代的玻璃底板尺寸界定情况。目前，全球范围已经进入第6代和第7代产品生产的阶段，预计在未来两年里，第 5代及第5代之前的生产能力的增加幅度将逐渐减小，而第6代和第7代的生产能力在近两年将形成加快增长的态势。目前，各大设备厂商也纷纷推出了能够与第6 代以上生产线配套的设备，如尼康公司的面向第6代、第7代和第8代生产线应用的步进投影式平板显示器光刻机FX-63S，FX-71S和FX-81S。

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