外延片以及LED芯片工艺问题

1.外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN),衬底材料主要有蓝宝石，硅，碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入(一台MOCVD一般要好几千万)。

2.外延片的检测一般分为两大类:

一是光学性能检测，主要参数包括工作电压，光强，波长范围，半峰宽，色温，显色指数等等，这些数据可以用积分球测试。

二是可靠性检测，主要参数包括光衰，漏电，反压，抗静电，I-V曲线等等，这些数据一般通过老化进行测试。

3.需要指出的是，并没有白光LED芯片，只有白光LED灯珠/管，即需要进行封装才能获得白光小LED灯，也叫灯珠，管子。

白光LED一般通过两种途径获得：

一是通过配光，将红绿蓝三色芯片进行配比封装获得白光LED.

二是通过荧光粉转换蓝光LED，从而获得白光LED.

本人正从事相关行业，无关技术机密的东西都可以说一下。

一个体材料就是衬底是硅，上面各种外延半导体材料，比如Ge、SiGe等等，主要用于制造半导体器件。

LED外延片，顾名思义，就是用作LED的外延片。一般体材料或者说衬底是蓝宝石，外延材料是GaN之类的III-V发光材料。当然了，现在衬底也有用硅的，便宜嘛。

所以，总的来说，两者的区别，就是在衬底上外延的材料不同呗。一个硅上半导体材料一个硅上LED材料，如此而已。

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