纳米硫化锌是一种光电子材料,能产生光子空穴,量子尺寸效应带来的能级改变、能隙变宽,使得它的氧化还原能力增强!与TiO2、Fe2O3、PbS、PbSe相似,是优异的光催化半导体!
效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm)
式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制.凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等在近红外波段有:PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)