人类科技的进步是无法想象的。除了原子，科学家目前已在研究量子材料用于芯片，如果研发成功，这种新型的材料对于芯片制程又是一次重大的突破。量子芯片面世，后面还可以研究光子芯片，新技术、新材料等着人类去不断开发使用。
1nm芯片不是极限。
1nm就是摩尔极限，也就是说，硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm，但由于自然环境的限制，其实际精度永远不可能达到1nm。
制程越小，功耗越小，在实现相同功能的情况下，发热小，电池可使用的时间更长。这就是芯片制程越来越小的主要原因。
台积电已经研发出了3nm芯片制造，本以为自己已经独占鳌头，却让人没有想到的是，近日英特尔突然宣布它们已经突破了芯片的摩尔极限，并且已经研发出三套方案，1nm不再是芯片精度的尽头。
发展：
芯片上有无数个晶体管，他们是芯片的核心，也就说，目前的技术是要把晶体管做的越来越小，这样，芯片上能容纳的晶体管就很多，芯片的性能就随之增加。
而目前最小的是1 nm栅极长度的二硫化钼晶体管。而且，并不是到1nm才会发生击穿效应，而是进入7nm节点后，这个现象就越来越明显了，电子从一个晶体管跑向另一个晶体管而不受控制，晶体管就丧失了原来的作用。
硅和二硫化钼（MoS2）都有晶体结构，但是，二硫化钼对于控制电子的能力要强于硅，众所周知，晶体管由源极，漏极和栅极，栅极负责电子的流向，它是起开关作用，在1nm的时候，栅极已经很难发挥其作用了，而通过二硫化钼，则会解决这个问题，而且，二硫化钼的介电常数非常低，可以将栅极压缩到1nm完全没有问题。
1nm是人类半导体发展的重要节点，可以说，能不能突破1nm的魔咒，关乎计算机的发展，虽然二硫化钼的应用价值非常大，但是，目前还在早期阶段，而且，如何批量生产1nm的晶体管还没有解决，但是，这并不妨碍二硫化钼在未来集成电路的前景。
7纳米可以确定不是目前技术的极限。台积电7纳米很快就要量产（18年上半年），5纳米、3纳米技术也都有序进行，并且工厂也已经开始动工，据台积电表示，3纳米以下技术可能会遇到瓶颈，后续能否解决得看以后的研发进度；
在INTEL方面，目前10纳米基本上已经得到了确认，旗下的7纳米、5纳米也有消息传出，后续能按照进度，逐渐量产、上市应该没有问题，
也就是说7纳米肯定不是目前半导体制程的终点，而台积电、三星3纳米（对应INTEL 5纳米左右）以下能否再继续，那得以后才能确定了。
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