给一些关于半导体的中英文资料，the more the better

你好，你要的这些资料网上很多啊，高中电工电子老师也讲了很多，再说你英语那么好，网上一查，管它中文，英文的不都能看懂啊，我查了点点啊，希望能对你有用 半导体电路基础 前言 第一章 半导体二极管和三极管 第一节 半导体的基本知识 第二节 P-N结 第三节 半导体二极管的特性和参数 第四节 半导体三极管的工作原理 第五节 半导体三极管的特性曲线和主要参数 第六节 半导体三极管的简易测试 小结 思考题 附录一国产半导体器件型号的命名方法 附录二半导体二极管参数举例 附录三半导体三极管参数举例 第二章 低频小信号放大电路 第一节 关于低频放大器的基本常识 第二节 单级低频小信号放大电路的工作原理 第三节 单级低频小信号放大电路的分析和计算 第四节 低频放大电路的图解分析法 第五节 静态工作点的稳定和偏置电路的计算 第六节 多级低频放大电路 小结 思考题 练习题 第三章 负反馈放大电路 第一节 什么是负反馈放大电路 第二节 负反馈对放大电路性能的改善 第三节 几种常用基本负反馈放大电路的分析 第四节 多级放大电路中的负反馈 小结 思考题 练习题 第四章 低频功率放大电路 第一节 低频功率放大电路的特点 第二节 单管甲类功率放大电路 第三节 乙类推挽功率放大电路 第四节 无变压器的推挽功率放大电路 第五节 集电极最大允许耗散功率 第六节 功率放大电路应用举例 小结 思考题 练习题 第五章 直流放大电路 第一节 直流放大电路的特殊问题 一、直流电位相互牵制问题 二、多级直流放大电路的零点漂移 第二节 差分放大电路 一、差分放大电路的工作原理 二、差分放大电路的分析方法 三、差分放大电路的其他几种接法 四、差分放大电路的差值特性 五、进一步减小差分电路零点漂移的途径 第三节 调制式直流放大电路 一、调制式直流放大器的基本原理 二、调制器原理 三、场效应管调制器 四、解调器原理 第四节 集成运算放大器简介 一、什么是集成运算放大器 二、线性集成电路结构上的特点 三、集成运算放大器举例 四、集成运放的简单应用 小结 思考题 练习题 附录场效应管的工作原理和特性 一、结型场效应管的工作原理和特性 二、绝缘栅场效应管的工作原理和特性 三、场效应管与半导体三极管的比较 四、电路举例 第六章 整流和滤波电路 第一节 半波整流和电容滤波电路 一、半波整流电路 二、半波整流电容滤波电路 三、整流、滤波元件的确定 第二节 全波整流和电容滤波电路 一、全波整流电路 二、全波整流电容滤波电路 第三节 桥式整流和电容、电感滤波电路 一、桥式整流电路 二、桥式整流电容滤波电路 三、桥式整流电感滤波 第四节 倍压整流电路 一、二倍压整流电路 二、三倍压及多倍压整流电路 三、几种整流滤波电路的特性比较 第五节 整流滤波电路的设计 第六节 复合式滤波电路 一、LC滤波电路 二、RC滤波电路 三、半导体管有源滤波电路 四、Γ型LC滤波电路 第七节 小功率整流变压器的设计与制造 一、制造变压器的材料 二、设计步骤 三、设计举例 四、变压器制作的简单工艺 小结 思考题 练习题 附录常用半导体整流二极管参数 第七章 半导体直流稳压电源 第一节 硅稳压管及其稳压电路 一、硅稳压管 二、硅稳压管的稳压原理和它的特性 三、硅稳压管稳压电路 第二节 串联型半导体管直流稳压电源 一、最简单的串联型半导体管稳压电源 二、带有放大环节的稳压电源 三、串联型稳压电源的基本组成 四、串联型半导体管稳压电源的设计举例 第三节 串联型稳压电路性能的改进 一、具有补偿电阻的稳压电路 二、具有辅助电源的稳压电路 三、具有恒流负载的稳压电路 四、具有温度补偿的稳压电路 五、关于比较放大级的联接 第四节 可调式稳压电源及保护电路 一、输出可调稳压电源的主要问题 二、扩大输出电压调节范围的措施 三、稳压电源中调整管的过载和短路保护 第五节 稳压电源的调试及安装中的注意事项 一、稳压电源的调试 二、技术指标的测定 三、安装电路时应注意的事项 第六节 应用电路举例 一、简易稳压电源 二、单管放大半导体管稳压电源 三、放大部分为恒流负载的稳压电源 四、硅集成稳压电源 小结 思考题 练习题 附表 第八章 自激正弦波振荡器 第一节 LC正弦波振荡器的工作原理 一、LC并联振荡回路中的振荡现象 二、从放大电路到振荡器 三、产生自激振荡的条件 四、振荡的建立和稳定 第二节 半导体管LC振荡器 一、变压器反馈LC振荡器 二、电感三点式振荡器 三、电容三点式振荡器 四、三点式振荡器相位条件的判别方法及加强正反馈的措施 五、三种LC振荡器的比较 第三节 LC振荡器的设计与调整 一、LC振荡器设计中要考虑的几个问题 二、LC振荡器的调整 第四节 频率稳定度 一、频率稳定度的概念 二、影响频率稳定度的因素 三、稳定频率的措施 第五节 RC振荡器 一、RC移相式振荡器 二、相位落后的RC移相振荡器 三、RC桥式振荡器 第六节 石英晶体振荡器 一、石英晶体的结构和特性 二、石英谐振器及其等效电路 三、石英晶体振荡器 第七节 振荡器应用举例 一、电视机本地振荡器 二、12MHz高频率稳定度LC振荡器 三、通信载波机中的石英晶体振荡器 小结 思考题 练习题 半导体电路实验和电子测量仪器简介 半导体电路实验 实验一半导体三极管的判别和直流参数的测定 实验二直流稳压电路的调整和测试 实验三LC振荡电路的调试和研究 实验四阻容耦合放大电路的调试和研究 实验五射极输出器的调试和研究 实验六结型场效应管性能的研究和放大电路的调试 实验七低频功率放大电路的调试和研究 实验八差动放大电路的调试和研究 实验九运算放大器的应用 电子测量仪器简介 一、万用表和电子伏特计 二、万用电桥和Q表 三、电子示波器 四、测量用信号源 五、电子计数器和数字式仪表 六、半导体管特性图示仪 七、仪表系统中常用的传感器 进去看这个，里面有具体附件的内容http://bbs.elecfans.com

P型半导体的“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。

N型半导体的“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

在N型半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

在P型半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

扩展资料：

一、N型半导体原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子。

这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半导体，如ZnO、Ta2O5等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用。

因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。

二、P型半导体原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

参考资料来源：百度百科－N型半导体

参考资料来源：百度百科－P型半导体

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