硅基oled与oled差别

硅基OLED微显示器件结构

硅(si)是一种重要的半导体集成电路材料,但由于硅是间接带隙材料,发光效率低,为了在硅片上实现光电集成,在过去的几十年,人们开展了大量硅基发光材料和器件的研究工作,如在硅衬底上集成II-V族发光材料,或者制作多孔硅等。近年来,在硅衬底上制作OLEDs (Organic light emitting diodes,有机发光二极管),为硅基光电集成开辟了一条新道路。而且,硅基OLED可利用成熟的CMOs技术,可在单个芯片上集成密度高且复杂的电路,从而提供了单芯片显示系统(soC, System On Chip)的解决方案。

硅基OLED微显示器件区别于常规利用非晶硅、 微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的 AMOLED器件，它以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传 统器件。 单晶硅芯片采用现有成熟的集成电路CMOS工艺， 不但实现了显示屏像素的有源寻址 矩阵，还在硅芯片上实现了如SRAM存储器、T-CON等多种功能的驱动控制电路，大大减少了 器件的外部连线，增加了可靠性，实现了轻量化。

就是硅基半导体,Si是化学元素硅,

硅基半导体是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

硅半导体器件比锗半导体器件的漏电流要小的多，这是它成为主流半导体材料的主要原因。 另外硅元素在地壳中的储藏量巨大，这也是原因之一，因为砷化镓材料的性能更好，但是由于储藏量和生产成本的原因就不能成为主流材料。

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