半导体芯片是在半导体上制作原件,利用半导体做原料而不单单是当作一个基底来用的。
1.拿硅片为例,首先用光刻胶掩住做半导体的部分,其余喷上氧化剂氧化,众所周知二氧化硅是绝缘的,绝缘层就做成了。
2.没氧化的部分经过各种掺杂方法完成参杂,扩散,耦合之后,电子原件就制作完成了!所以电子原件不是安装在半导体上的。
3.不过还是有东西要安装上去的,就是引线,引线一层层地布线,把电子原件引成三极管,二极管,场效应管等,然后再布线成为与门,非门,或们,放大电路等,都是在布线的时候完成逻辑的组装的,题主的理解在这里没错。
4.现代技术也有在绝缘体上开始制作的。高端原件如石墨烯就是直接把石墨烯布在二氧化硅上面,用硝酸或硼离子射击进行掺杂变性,然后再布线,整体思想和题主的相符合,它省去了还原硅的能量,石墨烯易取材,效应好,是未来的方向之一。但是工艺复杂,毕竟要把石墨烯弄成这么小再粘上去可不容易,而且步骤也多,没有硅底的简单粗暴,所以现在还是用硅刻蚀法~
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前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。
湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化,还需要进行综合评估,以解决多步骤的问题。
扩展资料:
这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,与之相对应的是后道(back end of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。
新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料,它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。
参考资料来源:百度百科-后道工序
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-前道工艺
黄金其实是很好焊接的,你可以采用低温软钎,根据黄金丝的粗细选择不同功率的电烙铁,总之是要使焊接处的母件的工作温度达到179度,然后材料选用低温钎料M51,及M51-F活性焊剂,这个焊接 *** 作在明白焊接原理的基础上应该是蛮简单的。你可以在网上搜索“M51+M51-F”欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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