随着俄罗斯乌克兰战争延伸至越来越广泛的领域,一些高技术产业被严重波及,氖气生产就是其中之一,甚至可能会面临氖气生产企业停产的新局面。
乌克兰手握全球70%的氖气供应,其体量之大,涉及范围之广,定会对其他行业造成非同小可的影响,至于会造成哪些影响呢?业内人士一直很关注。氖气是特种气体的一种,属于缓冲气体,被誉为光刻机的“刀片”。没有氖气,就没有“刀片”,而失去“刀片”,光刻机就将罢工,半导体生产,自然陷入停滞。作为世界最大半导体产业市场之一,中国对氖气的需求,也是不言而喻的。早在2014年乌克兰事变期间、尤其是克里米亚事件期间,国内的氖气供应就出现过问题,主要体现就是大幅涨价。半年内从750元/立方米,上涨到2.5万元/立方米。今年俄乌的紧张局势,理所当然也造成类似的影响,虽没有2014年严重,但是涨幅也高达4倍。好在,这个问题如今对中国的影响,基本可控。
氖气用途之电光源用气和检测用气,在几乎所有现代光源中都要用到氦族气体,氖气主要用于填充各种荧光灯、发光信号装置和辉光灯等。对于低压放电管,在清洁的玻璃管内,纯氖产生橙色的光,氖与氩、氦按不同比例混合,充入各种滤光玻璃管,可制成绚丽多彩的霓虹灯(字模显示灯)。氖气低压放电管广泛用作指示灯。由于氖光灯发出的红光透射能力强,长期以不氖都被用不来填充各种信号装置,作为港口、机场、车站等水陆交通要地的显示标志。
由此可见,氖气的用途之广,作用之大,是高新技术科技革命的命脉。
中国氮化镓生产十大企业如下:
1、中国苏州能讯
2007年成立,能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。
产品:氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。
芯技术和应用:能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益,应用简单,适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。
氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用,功率密度、效率及可靠性业内领先,适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。
2、苏州晶湛
2012年成立,位于苏州纳米城,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化。 截至目前,晶湛半导体已完成A+轮融资,用于扩大生产规模。
产品:GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。
技术及应用:硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域;目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。
3、珠海英诺赛科
成立于2015年12月,引进美国英诺赛科公司SGOS技术。
产品:单管GaN FET,半桥GaN FET、GaN IC。
技术及应用:8英寸硅基氮化镓产业化平台,具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。
4、重庆华润微
2000年成立,以销售额计,公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。
产品:8英寸硅基氮化镓生产线,国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用:聚焦于功率半导体、智能传感器领域,为客户提供系列化的半导体产品与服务。
5、杭州士兰微
成立于1997年9月,总部在中国杭州。
2003年上市产品:国内知名IDM企业,建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。
6、重庆聚力成
2018年9月成立,于重庆市大足区建设硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片基地。
产品:GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。
技术及应用:目前,GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂,现今外延片已进入量产阶段,整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。
7、台湾积体电路制造
成立于1987年,2019年,台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。
产品技术:6英寸的GaN-on- Si。
8、三安集团
于2000年11月成立,坐落于厦门。
产品:650V 0.5um GaN/Si,200V/100V0.5um GaN/Si。
技术及应用:三安集成的氮化镓(GaN)E-HEMT技术服务于消费者和工业应用,如适配器/充电器,电信/服务器smp,无线电源,车载充电器(OBC)和成本有效的解决方案。
9、苏州捷芯威
成立于2013年,海外归国人员创办于苏州工业园区,捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域,拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用;区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。
产品:硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用:650V GaN FET,其BVds≥650V,Ids>10A,导通电阻Ron<0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。
单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件,单管耐压2000V,开态时导通电阻低于1Ω,且关态时漏电低于1uA/mm。
10、大连芯冠
2016年3月17日成立于大连高新区,公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式。
产品:硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。
技术及应用:已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。
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