半导体iginv公式

I = I_s * e^(V_d/V_t) - I_s * e^(-V_d/V_t)

其中，I_s为半导体的漏电流，V_d为半导体的偏压，V_t为半导体的阈值电压。

当栅源之间加上正向电压P型衬底相当于以SiO2为介质的平板电容器，在正的栅源电压的作用下，介质将产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向P衬底的电场但不会产生电流iG。这个电场是排斥空穴而吸引电子的，因此，使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，留下不能移动的受主离子形成耗尽层。同时P型衬底中的少子（电子）被吸引到栅极下的衬底表面。但正的栅源电压达到一定数值时，这些电子在栅极附近的P型硅表面便形成了一个N型薄层，称之为反型层。在反型状态下，反型载流子主要分布在紧靠表面的薄层内，其厚度约为10nm，比下面的耗尽层薄得多。一般假定反型层是一个厚度可以忽略的薄层，这一假设称为电荷薄层近似，全部降落在其下的耗尽层上。