1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的
2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿
3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的
综上所述:半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的
2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿
3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的
综上所述:半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)