HPGe是用高纯度锗制成的PN探测器。在一定工作电压下PN结的耗尽层厚度与材料的电阻率的平方根成正比。当锗晶体中杂质的原子浓度小于1010/cm3时,即可满足制造HPGe探测器的要求。
目前的工艺水平已能制造体积比较大的探测器,可以分别满足低能X射线和高能γ射线的能谱测量要求。与Ge(Li)和Si(Li)能量分辨率相当。它的优点是可以常温下保存。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
HPGe是用高纯度锗制成的PN探测器。在一定工作电压下PN结的耗尽层厚度与材料的电阻率的平方根成正比。当锗晶体中杂质的原子浓度小于1010/cm3时,即可满足制造HPGe探测器的要求。
目前的工艺水平已能制造体积比较大的探测器,可以分别满足低能X射线和高能γ射线的能谱测量要求。与Ge(Li)和Si(Li)能量分辨率相当。它的优点是可以常温下保存。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)