溴是唯一在室温下呈现液态的非金属元素,并且是周期表上在室温或接近室温下为液体的六个元素之一,深红棕色发烟挥发性液体。有刺激性气味,其烟雾能强烈地刺激眼睛和呼吸道。在空气中迅速挥发。易溶于乙醇、乙醚、氯仿、二硫化碳、四氯化碳、浓盐酸和溴化物水溶液,可溶于水。溴的熔点是-7.2 °C,而沸点是 58.8 °C。[3]
原子序数35
质子数
35
中子数45
摩尔质量80
沸点58.76℃
熔点-7.2℃
密度3.119g/cm3
原子化焓:kJ/mol@25℃
111.7
热容J/(mol·K)
75.69
导热系数W/(m·K) 0.122
熔化热(千焦/摩尔)5.286
汽化热(千焦/摩尔)15.438
晶体结构:晶胞为正交晶胞,晶胞参数:
a=672.65pmα=90°
b=464.51pmβ=90°
c=870.23pmγ=90°
化学性质
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基本性质
溴在化学元素周期表中位于第4周期、第ⅦA族,第一电离能11.814eV,溴是一种强氧化剂,它会和金属和大部分有机化合物产生激烈的反应,若有水参与则反应更加剧烈,溴是一种卤素,它的活性小于氯但大于碘。溴和金属反应会产生金属溴盐及次溴酸盐(有水参与时),和有机化合物则可能产生磷光或萤光化合物。溴对大多数金属和有机物组织均有侵蚀作用,甚至包括铂和钯。与铝、钾等作用发生燃烧和爆炸。溴微溶于水,但对二硫化碳,有机醇类(像甲醇)与有机酸的溶解度佳。它很容易与其他原子键结并有强烈的漂白作用。[4]
所属周期
4
电子层排布2-8-18-7
外层电子排布4s24p5
电子层K-L-M-N
核电荷数35
氧化态Br-1,Br+5,Br+1,Br+3,Br+4,Br+7
化学键能:(kJ /mol)
Br-H366
Br-C286
Br-O234
Br-F285
Br-Br193
Br-B410
Br-Si310
Br-P264
电离能(kJ/ mol)
M - M+1139.9
M+ - M2+2104
M2+ - M3+3500
M3+ - M4+4560
M4+ - M5+5760
M5+ - M6+8550
M6+ - M7+9940
M7+ - M8+18600
M8+ - M9+23900
M9+ - M10+28100
氧化还原性
溴最外层电子为4s24p5,有很强的得电子倾向,因此具有较强的氧化性,而溴的4d轨道是全空的,可以接受电子,因此也表现出一定的还原性。[5]
溴单质能与大部分单质化合,部分需要加热或其它条件。氢与溴在含铂的石棉或硅胶催化下,加热至200~400°C可以化合为溴化氢。溴可以把磷(0)氧化为磷(3):
,生成的三溴化磷为液体,掺杂着部分五溴化磷。溴与一氧化碳反应,可得到碳酰溴:
。与氨反应,生成溴化铵与氮气:
。
溴可以置换出水中的一些非金属阴离子,例如溴与硫离子的反应:
。
溴与氟气混合,可以得到三氟化溴:
,氟过量则生成五氟化溴:
。
溴在水中及碱溶液中易歧化,在水中反应为
,在0°C及以下的低温碱溶液中发生的反应为:
Br2,在50°C及以上的高温碱溶液主要发生的反应为:3Br2+6OH-=BrO3+5Br-+3H2O。
有机反应
在紫外线或250~400°C下,将溴与烷烃或者烯烃(α-H)或者甲苯混合,会发生自由基取代反应,反应将烷烃、烯烃、甲苯上的氢取代为溴。溴发生自由基取代反应时,3°碳,2°碳,1°碳之间的反应活性相差非常大,选择性较好,得到的产物较为纯净。
在极性溶剂中,溴易发生异裂,生成溴离子,发生离子型反应,例如溴与烯烃的加成。
苯(用溴化铁做催化剂)和纯溴的取代反应,不用催化剂反应很慢,用铁做催化剂时,不需加热,即可发生反应,该反应是放热反应。[2]
乙醇可与HBr发生取代反应,C2H5OH+HBr=C2H5Br+H20
醛与溴在碱的催化下或者在酸性条件下由于羰基的作用,醛的α-氢变得异常活泼而被溴取代,生成α-溴代醛和溴化氢,而且往往α-氢趋向于全部被取代,例如,CH3CHO+Br2=Br-CH2-CHO+HBr[6]
化合物
溴的化合物一般指含溴为-1氧化态的化合物,包括金属溴化物、非金属溴化物以及溴化铵等。碱金属、难溶溴化物与难溶氯化物相似,但前者的溶解度通常小于相应的氯化物。溴化物的卤素互化物,如溴化碘(IBr)。溴化氢的水溶液称为氢溴酸,氢溴酸是一种强酸。
碱金属和碱土金属的溴化物可由相应的碳酸盐或氢氧化物与氢溴酸作用制得,如:溴化锰、溴化钡、溴化铜、溴化镁、溴化铊、溴化汞等,碱土金属溴化物以及溴化铵易溶于水。
三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示,在国内一般用VT或V表示。
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时,集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时,集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时,发射极与基极间反向击穿电压
Icbo 发射极开路时,集电极与基极间反向漏电流
扩展资料:
工作原理
理论原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
参考资料来源:百度百科-三极管
注意你的电工书里的名字都是洋鬼子取得,所以字母是有确定意义,我的理解:UBR=breaking reverse voltage(可使毁坏的反向电压,就是反向击穿电压),URM=reverse maxiam voltage(最大反向电压,一般是Ubr的1/2-1/3),R=reverse,UR是反向工作电压,所以有UR<URM<UBR欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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