设Q1基极电流、Q1集电极电流、Q2基极电流分别为x、y、z
则因为Q1与Q3是镜像,所以Q3基极电流、Q3集电极电流也分别是x、y
R的电流是:y+z=(15-2*0.7)/100=0.136mA=136uA
Q2的发射极电流是:z+i=2x+y
由三极管β=100得:i=100z,y=100x
代入上两式得:100x+z=136,101z=102x
消去x得:100*101z/102+z=136
即:z=136/(1+100*101/102)
所以:i=100z=13600*102/(102+100*101)=135.97uA
呵呵,比较难懂。看上去很抽象。但如果你明白了各个量之间的关系,又觉得原来如此简单的问题!因为发射极电流是基极电流的(1+β)倍,发射极电压=发射极电阻*发射极电流。发射极电压也就是发射极电阻上的电压。所以,发射极电压=URe=Ie*Re=(1+β)Ib*Re。在基极回路里,基极到接地点的总电压为:Ube+Ure。Ube为基极和发射极之间的电压=Rbe*Ib。基极流过的电流只有Ib,而基极到地的电压是Ube+URe,除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。即Rb=(Ube+URe)/Ib=[Ib*Rbe+Ib*(1+β)*Re]/Ib = Rbe+(1+β)Re。输入端b的等效电阻相当于增大了(1+β)Re。这就是为什么发射极输出器增大了输入阻抗的原因。严格说,你提供的表达式是不对的。只是一种忽略Ube的近似值。Ib=(Ube+Ure)/[Rbe+(1+β)Re]才是正确的。Rbe是发射结等效直流电阻。这是直流量的表示式。如果交流量,就把所有大写的量改成小写的。公式的形式是完全一样的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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