半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。

测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA

分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

第一部分：规格&环境

1.1、 产品信息

产品型号：DCT2000

产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统

1.2、 物理规格

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

1.3、 电气环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

第二部分：应用场景和产品特点

一、应用场景

1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

5、 量产测试 （可连接机械手、扫码q、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）

二、产品特点

1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；

3、驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~10mA；

5、16位ADC，100K/S采样速率；

6、自动识别器件极性NPN/PNP

7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确

8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；

11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）

12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；

14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；

15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；

第三部分：产品介绍

3.1、产品介绍

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让 *** 作人员在夹具上实现一点即测。 *** 作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）

第四部分：功能配置

4.1、 配置选项

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下

4.2、 适配器选型

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下

4.3、 测试种类及参数

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类：二极管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；

(2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；

(5)二极管类：瞬态二极管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二极管类：整流桥堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二极管类：三相整流桥堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三极管类：三极管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；

(9) 三极管类：双向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三极管类：单向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三极管类：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三极管类：双MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三极管类：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三极管类：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三极管类：三端开关功率驱动器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三极管类：七端半桥驱动器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三极管类：高边功率开关

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保护类：压敏电阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr

(19)保护类：单组电压保护器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保护类：双组电压保护器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)稳压集成类：三端稳压器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)稳压集成类：基准IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)稳压集成类：四端稳压

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)稳压集成类：开关稳压集成器

选配；

(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；

(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)传感监测类：

电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；

霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；

电压监控器（选配）；

电压复位IC（选配）；

曲线追踪仪

第五部分：性能指标

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下

5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元

（1）加压(FV)

量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

（3）电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

（4）电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）

16位ADC，100K/S采样速率

（1）电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

（2）漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA

（3）电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC

（1）加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

基于遗传算法的图像阈值分割方法的研究 探地雷达回波信号数据采集系统的设计 基于支持向量机软测量的研究 盲信号处理及其应用研究 神经网络在模式识别中的应用研究 计算机绘制曲线的方法途径与及其应用 光纤布喇格光栅温度和应变同时测量系统 光纤加速度传感研究与系统设计 分布式光纤温度传感器系统的设计 等精度频率计的设计 分布式光纤电压测量系统的设计与研究 光纤光栅不均匀受力特性分析 轧机扭振测量无线感应电源的设计 水泥篦冷机熟料温度测量方法的研究 分布式光纤微弯压力传感器的研究 水泥篦冷机料层厚度测量方法研究 超声波水流量计的设计 基于小波理论的图像压缩技术研究 基于信号消噪的语音增强技术的研究 光纤小波滤波器的研究 智能变频空调器的模糊控制技术的研究 高双折射光纤应变测量系统的研究 玻璃钢玻瓦生产线温度控制方法的研究 测试信号分析网络虚拟实验平台设计 数字图像相关法动态位移测量研究及其应用 光孤子通信的仿真研究 光纤自适应偏振模色散补偿系统的研究 基于Sagnac效应的光纤电流传感系统的研究 图像处理中几种算法的研究与应用 倒立摆智能模糊控制系统的研究基于网络环境的数字信号处理ICAI系统 图像边缘检测在关节镜图像处理中的应用 光纤波长扫描干涉方法在位移测量中的应用 光纤光栅扭转传感器的研究 基于信息熵的振动信号分析技术研究 参数自整定模糊PID控制器的设计 基于FPGA的分布式声表面波应变传感系统 智能模糊控制在全自动洗衣机中的应用研究 ABS系统的应用与设计 光孤子源的研究 取样光栅特性的理论研究 智能化RLC测量仪的设计 基于虚拟仪器的光纤电压传感器的研究 智能测厚仪的设计 光纤光栅横向应变传感器的研究 神经网络控制器设计 光纤光栅特性及其色散特性的应用 神经网络在轧机AGC系统中的应用研究 光纤微位移传感器的研究 基于偏振调制的光纤电压传感器的研究 数据处理在三维图像显示及处理中的应用 基于半导体吸收原理的光纤温度传感器研究 取样光纤布喇格光栅滤波器的设计 热式气体质量流量计的设计 扭转光纤电流传感器的研究 几种基本光学原理的仿真分析 图像处理中各种显示方法的研究与应用 光谱吸收式气体传感器的研究与设计 表面粗糙度的光纤测量仪研究与设计 原油多相流流量测量仪的研究与设计 光学式电流互感传感器的研究与设计 变压器油中微水含量测量仪的设计与研究 光纤亮度与颜色温度测量仪的研究与设计 超声海水流速测量系统研究 海水温度检测系统的研究 海水浪高测量系统的研究 海水流速测量系统研究 海水噪声测量系统研究 海水浪涌压力测量系统研究 基于混沌理论的微弱信号检测研究 小波分析在奇异信号检测中的应用研究 声光器件参数测量系统研究 便携式数字化超声波检测仪器的设计与研究 超声波在火车车轮裂纹检测系统中的应用研究 正交矢量型锁相放大器在微弱信号检测中的应用 基于经验模态分解的旋转机械故障诊断的研究 信息融合技术在轧机故障诊断中的应用研究 基于小波神经网络的旋转机械故障诊断的研究 激光多普勒扭转振动测试技术的研究 轧机主传动轴在线监测系统研究 非接触式轧机主传动系统扭矩监测系统的研究 单晶硅吸收型光纤温度传感器的设计研究 光纤传感位移测量系统设计 超声波智能硬度检测仪的设计 粮食烘干塔中温度水分智能检测系统设计 在线无创伤植物水势自动监测仪的设计研究 虚拟仪器在供水网络监控与故障诊断中的应用 掺稀土光纤光源传感器测量可燃气体的研究 组态软件在换热系统虚拟成像中的应用 基于虚拟仪器的锅炉模糊控制系统的研究 基于虚拟仪器的供热多路巡回检测系统 基于虚拟仪器的多功能测量系统的研究 图像处理技术在人脸识别中的应用研究 数据压缩技术在遥测遥控系统中的应用 用于面粉品质检测的吹泡示功仪的研究与设计 可吸入颗粒物监测系统的设计

一、 晶体三极管的结构类型

晶体三极管通常称为晶体管或三极管，是各种电子设备的常用元件。三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示。它是由两个相距很近的PN结组成的，一般都有三个电极，即发射极E、基极B和集电极C。三个电极分别与三极管内部半导体的三个区（发射区、基区和集电区）相接。发射区与基区之间的PN结称为发射结：集电区与基区之间的PN结称为集电结。按PN结的不同组合方式，晶体三极管分为PNP型和NPN型两种，这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的。PNP型管的发射极箭头向内，NPN型管的发射极箭头向外。二者电源电压的连接方式是不同的。

二、 晶体管的检测方法

利用数字万用表不仅能判定晶体管电极、测量管子的共发射极电流放大系数hFE，还可鉴别硅管与锗管。由于数字万用表电阻档的测试电流小，所以不适用于检测晶体管，应使用二极管档及hFE档进行测试。

1． 鉴别基极B

将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”，则红表笔所接的引脚就是基极B。如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号“1”，表明红表笔接的引脚不是基极B，此时应改换其他引脚重新测量，直到找出基极B为止。

2． 区分NPN管与PNP管

仍使用数字万用表的二极管档。按上述 *** 作确认基极B之后，将红表笔接基极B，用黑表笔先后接触其他两个引脚。如果都显示0.500～0.800V，则被测管属于NPN型；若两次都显示溢出符号“1”，则表明被测管属于PNP管。

3． 区分集电极C与发射极E（兼测hFE值）

鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E，需使用数字万用表的hFE档。如果假设被测管是NPN型管，则将数字万用表拨至hFE档，使用NPN插孔。把基极B插入B孔，剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。若测出的hFE为几十～几百，说明管子属于正常接法，放大能力较强，此时C孔插的是集电极C，E孔插的是发射极E，参见图5-50(a)。若测出的hFE值只有几～十几，则表明被测管的集电极C与发射极E插反了，这时C孔插的时发射极E，E孔插的是集电极C，参见图5-50(b)。为了使测试结果更可靠，可将基极B固定插在B孔不变，把集电极C与发射极E调换复测1～2次，以仪表显示值大（几十～几百）的一次为准，C孔插的引脚即是集电极C，E孔插的引脚则是发射极E。

上述测试方法的原理很简单。对于质量良好的晶体管（以NPN管为例），当使用hFE档按正常接法插入插孔时，集电结加上了反向偏置电压，发射结加上了正向偏置电压，这是放大倍数较高，仪表显示的值较大。如果将集电极C与发射极E的引脚插反了，管子就不能正常工作，放大倍数就很低。

检测PNP管的步骤同上，但必须使用hFE档的PNP插孔。

1． 检测实例

实例一：

测量一只型号不明的晶体管。预先把三个电极编上序号①、②、③，管子的平面朝上，引脚对着测试者，从左至右排列。将DT830型数字万用表拨至二极管档，按图5-51(a)所示方法依次进行测量，测量结果如表5-8所列。由六次测量数据可见，当红表笔接②脚，黑表笔依次接①、③脚时，两次显示的值分别为0.857V和0.856V，由此判定②脚是基极，并且被测管属于NPN型。

表5-8 实例一测量结果

接下来把仪表拨至hFE档，使用NPN插孔，②脚固定插入B孔，当把①脚插入C孔，③脚插入E孔，此时显示hFE＝8。调换①脚和③脚，即把③脚插入C孔，①脚插入E孔，又测得hFE=80。据此可以判定③脚为集电极，①脚是发射极。

备注：被测管实际是9013型NPN管，测量结果与使用手册中给出的引脚排列顺序相符，证明上述判断正确。

实例二：

预先把三个电极编上序号①、②、③，管子的平面朝上，引脚对着测试者，从左至右排列。将DT830型数字万用表拨至二极管档。按图5-51(b)所示方法依次进行测量，测量结果如表5-9所列。由六次测量数据可见，当黑表笔接②脚，红表笔依次接①、③脚时，两次显示的分别为0.813V和0.815V，由此判定②脚是基极，并且被测管是PNP型。

接下来将数字万用表拨至hFE档，使用PNP插孔，把②脚插入B孔，当①脚插入E孔，③脚插入C孔时测得hFE＝100。调换①、③脚位置重测，hFE＝13。由此可知，①脚是发射极，③脚为集电极。

备注：被测管实际为9012型PNP管，测量结果与使用手册中给出的引脚排列顺序相符，证明上述判断正确。

2． 注意事项

（1） 在用数字万用表二极管档判定晶体管基极B时，若两次测量显示值均为零，说明C－E极间已短路。

（2）用hFE档区分小功率晶体管C、E极时，如果两次测出的hFE值都很小（几至十几），说明被测管的放大能力很差，这种管子不宜使用。有的硅晶体管在C、E极接反时测得hFE＝0，亦属于正常现象，测量大功率晶体管的hFE值时，若为几至十几，也属正常情况。

3． 在路检测晶体管

所谓“在路检测”，是指不将晶体管从电路中焊下，直接在电路板上进行测量，以判断其好坏。此法有时简便易行。现以测试NPN晶体管为例，说明具体方法。测量时，使用数字万用表的二极管档，将红表笔固定接被测晶体管的基极B，用黑表笔依次接发射极E及集电极C，如果数字万用表显示屏显示的数字在0.500到0.850范围内，则可认为管子是好的。如仪表显示值小于0.500，则可检查管子外围电路是否有短路的元器件，如没有短路元件，则可认定被测管有击穿性损坏，可进一步将管子从电路板上焊下复测。如仪表显示值大于0.850，则很可能是被测管的相应PN结有断路性损坏，也应将管子从电路中焊下复测。

值得注意的是：若被测管PN结两端并接有小于700Ω电阻，而测得的数字偏小时，则不要盲目认为晶体管已经损坏。此时，可焊开电阻的一引脚再进行测试。此外，测量时，应在断电的状态下进行。

上述方法的原理是：晶体管（NPN型硅管）的B－C极间及B-－E极间（等效二极管）的正向导通压降约为0.7V，数字万用表二极管档能提供的测试电压为＋2.8V，所以晶体管PN结正常时屏幕应该显示0.7V左右。

测量锗材料晶体管PN结的方法和测量硅材料晶体管一样，不同的是屏幕显示的应为0.3V左右。

需要说明的是，对于B－E极间内置小电阻的晶体管（如彩色电视机用2SD870型行输出管），本测试方法不适用。

另外：对于检测二极管时应注意以下事项！

（1）指针式万用表的电阻档可用来比较可靠地检测二极管，但数字万用表的电阻档不宜检测二极管。这是因为，数字万用表电阻档所提供的测试电流太小（一般为100mA～0.5mA，具体数值依所用电阻档而定），而二极管属于非线性元件，其正、反向电阻值的大小与测试电流有很大关系，所以用数字万用表电阻档测出来的阻值与正常值相差很大，有时难以判定。例如，用20MΩ档测试小功率二极管时，其正向电阻可达几兆欧，反向电阻常超出仪表量程，在20MΩ以上，这就无法判定被测管的单向导电性能是否正常。因此，鉴别二极管的性能时，应使用二极管档进行测试，这既比较准确可靠，又比较直观。

（2）使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降，这时读数的单位是mV。例如，用该档检测2AP3型二极管的正向压降，显示为“352”，即表示352mV或0.352V（此管为锗管）。用该档检测IN4007型二极管时，正向显示为“509”，即表示正向压降为509mV或0.509V（此管为硅管）。虽然不同型号的数字万用表对二极管正向压降的测量结果有较大的离散性，但不影响对锗管与硅管两类不同材料制造的二极管进行判别。

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