对于正负电荷,在电流方向相同,也就是粒子运动方向相反的情况下,洛仑兹力的方向是相同的。因此正负电荷的霍尔电压是相反的。
假定价带顶在k=0处,靠近价带顶的电子的晶体动量和速度是相反的。这意味着在价带顶处的电子受到的洛仑兹力的方向和导带底是相反的。N型半导体的自由电子在导带底,P型半导体的电子费米面在价带顶,这也就是两者的霍尔效应相反的原因。
扩展资料
所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。
将一导电板放在垂至于他的磁场中,当有电流通过时,在导电板的a、a'两侧会产生一个电势差uaa',这就是霍尔效应。
利用左手定则,可以判断载流子(q>0,正电荷)所受洛伦兹力f的方向是与纸面平行向上,即运动向上;载流子(q<0,负电荷)所受洛伦兹力f的方向是与纸面平行向下,即运动向下。
扩展资料:
霍尔效应在应用技术中特别重要。霍尔发现,如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电流(Iv),该磁场的方向垂直于所施加电压的方向,那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH)。
量子霍尔效应的产生需要用到非常强的磁场,因此至今没有广泛应用于个人电脑和便携式计算机上——因为要产生所需的磁场不但价格昂贵,而且体积大概要有衣柜那么大。而反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同,因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生的运动轨道偏转,反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的。
用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,若大拇指指向的是霍尔元件的低电位点,即是负电荷聚集的一侧,则是载流子是负电荷;相反,若大拇指指向的是霍尔元件的高电位点,即是正电荷聚集的一侧,则是载流子是正电荷.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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