半导体的发展史

1、1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

2、1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

3、1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。

4、1874年德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

5、半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

扩展资料：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：百度百科——半导体

1、芯片危机

前几天，“华为没有芯片了”登上热搜，牵动亿万民心。

华为业务总裁余承东在中国信息化百人会2020年峰会上表示，华为手机上半年发货1.05亿台，销售额高达2558亿元。本来可以超过三星，但在美国的制裁下未能如愿。

与此同时，他还发布了一个坏消息。由于美国的第二轮制裁，华为高端的麒麟系列芯片只能支撑到9月15日，这可能是最后一代麒麟。

▲ 余承东

美国的制裁，事实上非常精准。华为可以设计芯片，但是无法生产。5nm高端芯片，目前只有两家公司拥有成熟的技术，那就是台积电和三星。

台积电的停止代工，确实是一场灾难。

而三星作为对手，当然更指望不上。然而，三星的发家史，却可能带给我们帮助。

在以芯片为核心的半导体行业，有两个让人震惊的事实。

一是当今的霸主竟然不是美国，而是我们的邻居韩国。早在2017年，三星就在半导体领域问鼎世界第一，推翻了稳占25年龙头的英特尔。不仅如此，SK海力士还占据了第三名。

二是半导体产品比石油还要暴利。同样在2017年，中国进口了2601亿美元的芯片，竟然比石油还多。而芯片，占据了大约80%的半导体市场份额。

如此顶尖的产品，天下三强有其二，小小的韩国为何有如此大的威力？

更恐怖的是，韩国在半导体领域的起步比美国晚了20年，他们为什么能够后发先至呢？

我们不妨从韩国的代表企业三星身上寻找答案，也许这个答案能够为中国的企业带来启示。

2、始于足下

三星的发家史，比韩国的 历史 更加曲折悠长。1938年，李秉喆在大邱市创建了三星商会，主要往中国东北出口干鱼、水果和蔬菜。

为什么叫三星呢？这里包含一个远大的志向。

“在中国，一为最大，在韩国，三为最大。太阳有冷热之变化，而星辰却永恒不变，我就是要建立一个庞大而永恒的企业。”

▲ 当年的三星商会

乱世之下，企业连生存都是难题。1941年日本偷袭珍珠港后，为了应对美国的反击，三星95%的产品被收为军饷，商会摇摇欲坠。

好在福祸相倚，二战后日本被迫归还了朝鲜半岛，同时把产业转让给了韩国人。李秉喆也凭借政治上的关系，购买日方产业成为了崛起的财阀势力。

后来韩鲜战争的爆发，再一次让三星梦碎。但在韩国政府的强力扶持下，战后的三星迅速恢复了元气，在制糖、毛纺和肥料方面成为了韩国的龙头。

▲ 三星创始人李秉喆

对于雄心远大的李秉喆来说，韩国被殖民与吞并的 历史 ，一直是心头的大痛。他时刻不忘实业报国，寻找着适合韩国发展的高附加值道路。

有一次，他前往日本东京电子工业团地参观，三洋电机会长井植岁男的话让他豁然开朗。

“电子工业从以沙子为原料的硅片到录像机，都是从无到有的产业，其附加值高达99.9%。”

1969年1月，他回国就建立了三星电子，把电子产业的心脏——芯片，当成了毕生的事业。

▲ 韩国首尔1960年代街头

对于起步落后美国20年的三星来说，要发展芯片谈何容易。高端产品早就发展为城堡，有层层专利筑起来的坚固壁垒，对方可以轻易地击杀攻城者。

在当时的芯片界，美国的仙童、镁光、摩托罗拉，日本的三菱、东芝、夏普，早就抢占了制高点，哪里还有新手的位置？

但千里之行，始于足下，李秉喆大胆地迈出了第一步，默默地积蓄着力量。

3、血亏不弃

1973年，第一次石油危机爆发，油价狂涨两倍多，引发了严重的经济危机，美国的工业产值下降了14%。

李秉喆却在一片混乱中看到了机会，他无视管理层的警告，竟然在第二年自掏腰包，入股濒临破产的美国半导体公司Hankook。

这一冒险至极的举动，为公司推开了芯片的大门。1978年，他又成立了三星半导体，决心进军芯片领域。

原先忠告“韩国经济水平低、不适合发展半导体”的日本企业，见此情形后立刻警觉起来，尽一切手段防止技术的流失。

70年代，三星的电视机畅销世界，但只是些边缘的技术，李秉喆对芯片仍魂牵梦萦。念念不忘，必有回响，在等待了十几年之后，他终于等到了机会。

1982年，他前往美国考察时，敏锐地发现了美日关系的裂痕。日本的256K DRAM内存芯片已经批量生产，美国的256K DRAM才研制出来。

美国感到了威胁，于是上升到了政治层面，美国商务部决定调查日本芯片的廉价倾销。

李秉喆趁着美国对日本的敌意，在1983年建立了首个芯片厂，并在年底研发出了64K DRAM，成功在第二年出口到了美国。

64K DRAM在技术上落后了4年，属于最低端的芯片，本身没有多少竞争力。日本企业更如群狼，他们联合起来降低价格，从每片4美元降到了0.3美元，企图消灭一切对手。

▲ 日本夏普

当时三星的成本为每片1.3美元，每卖一片就要血亏1美元。面对着巨额的亏损，李秉喆并没有后退，反而加大了赌注，以逆周期投资的方法研发更大容量的芯片。

1986年底，他已经赔了3亿美元。但形势正如他的预判，英特尔等厂商因为持续掉血退出了DRAM市场，谁能够撑下去谁就有可能赢得未来。

美日的半导体战争持续升级，三星则静待时局的变化。恰如猛虎卧荒丘，潜伏爪牙忍受。

4、渔翁得利

由于日本厂商DRAM的低价策略，眼看着就要成为半导体行业的王者。力不从心的美国在1987年3月，宣布对日本产品实施反倾销关税。

面对美国的制裁，日本只能减少产量以提升价格，结果导致了美国市场的供不应求。三星生产的256K DRAM则趁机填补了空缺，一举摆脱了亏损，站稳了脚跟。

令人始料未及的是，美日的半导体大战，笑到最后的却是韩国。在扭亏为盈之后，三星继续全力研发更大容量的DRAM存储芯片。

到1992年，三星已经和美日并驾齐驱，并抢先研究出64M DRAM，成为了行业引领者，从此晋升为世界第一大DRAM制造商。

▲ 时至今日，三星自研的5G基带芯片，同样为世界顶级

从1969年的芯片梦，到1983年的首个芯片厂，三星用了23年时间实现了梦想。

它究竟是怎么做到的呢？

首先，当然是美国的大力扶持。 美国不仅仅在技术上帮助了韩国，更拱手把美国市场让给了韩国。

当美国对日企征收100%反倾销关税时，对三星的关税只有0.74%。如此大的差别对待，使原本处于劣势的三星反败为胜，攻陷了原本日企占领的美国市场。

其次，三星重金吸收全世界的顶尖人才。 1986年，三星就挖走了日本东芝的生产部部长。

等到1990年日本经济泡沫破裂后，他们更是以3倍的工资挖日本的技术人员，配备4室1厅的公寓，还安排了秘书、厨师和司机。

然后，三星还建立了情报机构，专门收集美国和日本的技术动向，并秘密拉拢两国的技术人员。

日本经济泡沫破裂后，三星通过情报知晓了东芝在闪存芯片方面的突破，果断向东芝发出了合作邀请。经济窘迫的东芝为了续命，只得答应了请求。

▲ 日本东芝

正是东芝的闪存技术，帮助三星赶超了竞争对手，最终问鼎了DRAM和闪存领域的世界第一。

不得不感慨三星的深谋远虑，这完全是一场经典的战役。从全局出发，不计较一城一池的得失。待时机成熟时，不仅全面收复失地，而且发起了反攻。

5、技术至上

当然，三星芯片的成功还有一个重要因素，那就是韩国政府的鼎力支持。

比如1982年到1987年的“半导体工业振兴计划”，韩国政府提供了3.46亿美元贷款，极大地刺激了行业的发展。

在研究4M DRAM时，直接由政府部门牵头，联合了六所大学，配合企业界的三星、LG、现代共同技术攻关。在三年的研发里耗资1.1亿美元，政府承担了57%的费用。

许多人看到三星时，会下意识地轻蔑，觉得三星不过是依靠美国的全力扶持，才走向了崛起的道路。

但是，世界上许多国家或公司，正是以这种方式发家。日本也是得到了美国大量的经济援助，美国独立更是多亏了法国的帮忙。

关键在于，当机会来临时，你有没有准备好，能不能抓住它。

比起运气来，三星崛起更大的原因是对技术的尊重：冒险收购先进企业、重金吸收顶级人才，哪怕多年亏损也不改初衷。

因为有了这些充足的准备，韩国才抓住了美国赐予的良机。

正如同李秉喆所说： “技术的支配者将支配全世界。”

李秉喆去世于1987年，并没有看到韩国芯片的称霸，但他的儿子李健熙带领三星实现了他的梦想：

“摆脱个人企业的范畴，为了通过技术的先进化，给后世留下一个富裕的祖国，向最尖端的半导体事业进军。”

从一片荒芜，发展成为枝叶葳蕤的森林。三星的霸业，成就了无数韩国人心中的世界第一。

任何一个国家想要摆脱贫困，都必须借助技术。而发展技术离不开唯才是举、知已知彼，还有实业报国的志向、破釜沉舟的勇气。

不管前路有多么危险，发展技术是华为唯一的出路，也是每一家有远大志向公司的出路。

作者：令狐空

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

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