高速数字电路中的电气隔离
KA_IX
786浏览 2021-12-10 15:18:23
介绍
本文主要介绍什么是电隔离以及高速数字电路中的电气隔离。本应用说明书概述了高速数字电路中电隔离的必要性、实施方法和特点。本文讨论了光、磁（感）电（容）信号在隔离层上传输的优缺点。特别介绍了ISO72x系列数字电容耦合技术在隔离器中的应用。
什么是电气隔离测试？电气隔离测试是什么意思？
一、电气隔离定义
电隔离是将具有非理想效果的部件与其他部件分开。在电子电路中，电介质是通过阻断直流电来隔离的。隔离电路如何在更大的电气系统中工作？这个问题的答案是本文的主题。随着德州仪器和其他供应商推出的产品数量不断增加，传输隔离信号的选择也在增加，这也使得设计师对产品的选择更加复杂。本文介绍了隔离器的重要特性，并说明了产品之间的异同。
在回顾了电路隔离的必要性后，讨论了介质信号传输和模数隔离器的三种方法，并对每种数字隔离器的实例进行了描述和比较。换句话说，电隔离是一种腐蚀控制方法。导体容易受到来自不同金属的杂散电流的腐蚀。为这些导体提供良好的隔离，这样可以显著地控制腐蚀。
电气隔离是由一个机械开关实现的，当需要时，它将部分电路与主电源系统隔离。
二、电气隔离意义
隔离电路的主要原因是保护电路不受危险电压和电流的影响。在图1的医疗应用示例中，即使是很小的交流电流也会造成致命伤害，因此需要一个隔离层来保护患者。隔离还可以保护敏感电路免受工业应用中出现的高电压的影响。图2中的工业示例只是一个高压测量。将传感器与实际高电压隔离，可以测量低压电路。
图1：医疗应用示例
图2：工业应用示例
保护的原理是隔离各种系统或电路中可能出现的高电位。在图3所示的电缆应用程序中，一个远程驱动程序与接收器隔离。经过如此长的距离，地面可能处于不同的电压。通过隔离，在隔离器中形成电压差而不是敏感电路。
图3：装置间的接地电压差
如图4所示，隔离中断与其他电路元件有关的高阻抗电路路径形成的回路。通过中断环路，噪声电压出现在隔离层上，而不是接收器或更敏感的部件上。高噪声电压可由外部电流或电压源（例如感应电动机和雷电）耦合。
图4：隔离中断电路路径形成的回路
三、电路隔离器
在允许通过电磁或光链路传输模拟或数字信号的同时，电路隔离器防止电路之间的低频电流。数字隔离器传输二进制信号，而模拟隔离器在隔离层传输连续信号。在模拟和数字隔离器中，工作电压和峰值额定电压以及共模瞬态抗扰度是隔离层的重要特性。当隔离数字信号时，隔离电路的这些重要特性是输入和输出逻辑电压电平、信号速率、数据运行长度和自我保护响应。
传统上，变压器、电容器或光电二极管、晶体管和分立电路都根据输入和输出信号进行调节，以满足特定的需要。这种方法是有效的，但它不能从一个应用程序转移到另一个应用程序。虽然这可能会保留模拟隔离器，但市场上已经出现了新一代数字隔离器，它使用创新电路以超过100mbps的直流信号速率隔离标准数字信号。这些通用数字隔离器各有优缺点。以下章节将介绍各种技术，并将特定产品与TI的新ISO72x系列进行比较。
3.1光耦合技术
光耦合是指光在透明的绝缘层（如气隙）上的传输以进行隔离。图5显示了数字隔离器的主要组件。电流驱动器使用数字输入并将信号转换成电流来驱动发光二极管（LED）。输出缓冲器将光电探测器的电流输出转换为数字输出。
图5：基本光学耦合机制
光耦合技术的主要优点是光天生不受外界电子或磁场的影响，而光耦合技术允许恒定的信息传输。光耦的缺点主要体现在限速、功耗和LED老化等方面。
光耦的最大信号速率取决于LED开关的速度。从目前现有产品来看，最快的光耦HCPL-0723，其信号速率可以达到50Mbps。
输入到输出的电流传输比（CTR）是光耦合器和led的一个重要特性，通常需要10mA的输入电流才能实现高速数字传输。这个比率调整用来驱动LED的电流和光电晶体管产生的电流。随着时间的推移，led的效率越来越低，需要更多的电流来产生相同亮度和相同输出电流的光电晶体管。在许多数字隔离器中，内部电路控制LED驱动电流，用户无法补偿下降的CTR。LED的优势被削弱了，隔离器不再像以前那样高效工作。
3.2电感耦合
感应耦合技术利用两个线圈之间不断变化的磁场在隔离层上进行通信。最常见的例子是变压器，其磁场取决于一次绕组和二次绕组的线圈配置（每单位长度的匝数）、铁芯的介电常数和电流振幅。图6显示了一个带有信号调节电路模块的变压器。
图6：电感隔离
感应耦合的优点是可能的共模差分和差分传输特性。设计良好的变压器允许噪声和信号频率重叠，但会表现出高噪声共模阻抗和低信号差分阻抗。另一个优点是信号能量传输效率可以接近100%，使得低功耗隔离器成为可能。
感应耦合技术的主要缺点是外部磁场的磁化（噪声）。工业应用通常需要磁场隔离。例如，运动控制。数字变压器传输的另一个缺点是数据的运行长度。信号转换器在一定的频率和幅度范围内传输信号，其失真是可以接受的。为了使信号保持在可用的变压器带宽内，需要数据运行长度限制或时钟编码。
采用感应耦合的通用数字隔离器在传输低频信号（1或0个长字符）的同时，需要信号处理来传输和重构数字信号。NVE/Avago的Isoloop和ADI（模拟设备公司）的iCoupler使用编码功能并提供支持DC-100Mbps *** 作的数字隔离解决方案。
ADUM1100是模拟器件ic耦合器技术的一个例子。ADUM1100使用一个基本的变压器跨隔离栅传输信息。这种Isoloop技术（例如HCPL-0900）用电阻网络代替了次级线圈，如图7所示。电阻是由巨磁电阻（GMR）材料组成，它随磁场的作用而变化。电路感应电阻的变化并满足其输出条件。当交流性能得到改善并超过现有光耦合器的性能时，该技术被引入市场。现在，随着ADI的数字隔离器和TI的ISO72x系列器件的引入，这些Isoloop器件的性能已经被超越。
图7:GMR结构
3.3电容耦合
电容耦合技术利用不断变化的电场在隔离层上传输信息。每个电容器板之间的材料是一个介质隔离器，形成一个屏障。板的尺寸、板之间的间距和介电材料都决定了电性能。
图8：电容耦合
使用电容隔离层的优点是尺寸和能量传输效率高，以及对磁场的免疫力。前者使集成低功耗、低成本的隔离电路成为可能；后者使得在饱和或高密度磁场中工作成为可能。
电容耦合技术的缺点是没有差分信号和噪声，信号共享同一个传输通道，这与变压器不同。这要求信号的频率明显高于噪声的预期频率，以便隔离电容器显示信号的低阻抗和噪声的高阻抗。在感应耦合的情况下，电容耦合不能传输稳态信号，需要时钟编码的数据。
3.3.1 TI引入ISO72x--电气隔离试验
TI公司介绍了采用电容耦合技术的ISO72x系列隔离器。电容耦合解决方案采用成熟、低成本的制造工艺，磁场具有固有的抗扰性。
为了提供恒定的信息传输，ISO72x使用高信号速率和低信号速率信道进行通信，如图9所示。高信号率信道不编码，它通过隔离层上的单端差分转换传输数据。低信噪比信道以脉宽调制格式编码数据，并在隔离层上进行差分传输，以确保在恒定条件下（长1和0个字符）进行精确通信。
单端逻辑信号的差分传输隔离层允许使用低电平信号和小型耦合电容器。这为共模噪声提供了高阻抗，并通过抑制接收机上的共模噪声提供了极好的瞬态抗扰度。这是信号电容耦合需要解决的主要问题。
表4：可靠性测量
3.4隔离性能
三个主要标准验证了隔离保护的必要性，即UL 1577、IEC 60747-5-2和CSA。尽管每个标准略有不同，但它提供了一个比较隔离性能的标准。通过IEC、UL和CSA测试，确认输入和输出之间的电压超过介电击穿范围。这些标准的使用非常简单，因为测试标准与隔离方法无关。图10显示了隔离测试如何将隔离器视为两个终端设备。虽然每个器件的物理结构不同，但隔离测试是在介质击穿电压下进行的。
图10：隔离试验
ISO72x系列隔离器通过UL 1577、IEC 60747-5-2、IEC 61010-1和CSA进行测试。表1显示了这五种设备的隔离性能，说明了三种隔离技术。
设备
使用的技术
UL1577(VRMS)
IEC 60747-5-2，电压(Vpp)
IS0721
电容隔离
2500
560
成人1100
电感隔离
2500
560
HCPL-0900型
电感隔离
2500
Now reviewed
HCPL-0721/
HCPL-0723
光隔离
3750
560
表1：隔离性能
UL、CSA和IEC三种测试方法都是对绝缘质量的测试。UL和CSA测试是使用制造商设定的时间来测试介质击穿电压的压力测试。电介质击穿是该试验失败的一个征兆。IEC测试使用一种称为局部放电的现象来检测电介质中的空隙。向设备施加一个大电压，这是制造商定义的工作电压的函数，然后降低到另一个电压等级Vm。在这种低电压应用中，被测设备被监测介质中的无效局部放电。这些低效率导致了整个电介质的最终崩溃。
3.5瞬态抗扰度
高转换率（高频）瞬变会干扰隔离层上的数据传输。隔离电容器提供如图11所示的路径，允许瞬态事件通过隔离屏障并破坏输出波形。法拉第屏蔽使光耦或感应耦合器中的这部分位移电流远离重要的输出结构。
图11：隔离器电容
在电容耦合解决方案中，法拉第屏蔽不是一个可行的解决方案。除了瞬变，法拉第屏蔽层还可以屏蔽用于数据传输的电场。为了提供瞬态抗扰度，ISO72x系列电容隔离器仅传输fo信号（仅代表最高频率能量的数据信号）。
这使得耦合电容具有高频噪声频率。另一种噪声来自于在隔离层上传输数据的差分技术。图9显示了通过电容隔离层的四个信号；其中两个包含低信号率信息，另两个包含高信号率信息。通过使用差分技术，任何通过隔离屏障的剩余共模瞬态都可以在真实信号和补偿信号中看到，并且差分接收器可以抑制它们。如表2所示，ISO72x系列器件的瞬态抗扰度高达25kV/us，与其他同类器件相当。
设备
使用的技术
瞬态抗扰度
IS0721
电容器瞬态抗扰度
25
ADuM1100
电容器瞬态抗扰度
25
HCPL-0900
电容器瞬态抗扰度
15
HCPL-0721/HCPL-0723
光瞬态抗扰度
10
3.6自动保护
数据线电路和数字隔离器需要注意输入信号和输出状态的损失。当电缆断开或直接从隔离器输入端切断电源时，可能会出现输入损耗。自动保护是指输入丢失时的确定或已知的输出状态。ISO72x系列使用周期性脉冲来确定输入结构是否通电和工作。如果隔离器输出在4us后没有接收到脉冲，则输出设置为高状态。ADUM11 ADUM1100还在IC的输出端口集成了一个自动保护电路。Anwar Technology推出的光学解决方案（HCPL-0721和-0723）并未提及自动保护，而感应式GMR解决方案（HCPL-0900）则明确描述了功率排序过程中输出的不确定性。
3.7功耗
除了隔离层的信号传输效率外，输入和输出调节电路的设计与功耗最相关。比表中所示的光耦合器或电容器消耗更多的功率。
器件型号
使用的技术
Vcc1 and Vcc2
Icc1(mA)
Icc2(mA)
功耗（mW）
ISO721
电容耦合
5
1
11
60
3.3
0.5
6
21.5
ADuM1100
电感耦合
5
0.8
0.06
4.3
电感耦合
3.3
0.3
0.04
1.2
HCPL-0900
电感耦合
5
0.018
6
30
3.3
0.01
4
13.2
HCPL-0721
光耦合
Only 5
10
9
95
HCPL-0723
光耦合
Only 5
10
17.5
137.5
表3：静态电源电流
3.8可靠性
平均失效时间（MTTF）是衡量半导体器件可靠性的标准方法。对于数字隔离器，这种测量显示了集成电路和隔离机制的可靠性。表4显示了光学、电感和电容数字隔离器的MTTF。与感应和光学解决方案相比，ISO721是非常可靠的。
典型值，60%置信度
典型值，90%置信度
设备
使用的技术
环境温度
MTTF
（小时/故障）
PIT
（故障/10 nine小时）
MTTF
（小时/故障）
PIT
（故障/10 nine小时）
ISO721
电容耦合
125
1,246,889
802
504,408
1983
HCPL-0900
光耦合
125
288,118
3471
114,654
8722
HCPL-0721
光耦合
125
174,617
5727
69,487
14,39
表4：可靠性测量
ADUM1100可靠性数据表没有明确说明MTTF，但它提供了可靠性测试的结果。表5显示了ISO721和ADUM1100可靠性测试参数。
器件型号
使用的耦合技术
结温
时间（小时）
样品数量
不合格品
ISO721
电容耦合
150<TJ<175
1000
344
0
ADuM1100
电容耦合
150<TJ<175
500
231
0
表5：原始可靠性数据
3.9外部磁场抗扰度
图12比较了ADUM1100和ISO72x的磁场抗扰度（未找到HCPL-0900的数据）。相对而言，虽然这两个例子对磁场有一定的免疫力，但ISO72x提供了更大的裕度。如前所述，光耦隔离电路对外部磁场具有固有的磁化抗扰度。
图12：对外部磁场的敏感性
四、电气隔离结论
降噪和噪声保护使隔离器广泛应用于中断接地回路和隔离接地电压差的电子电路中。设计人员现在有许多数字信号隔离的选择，包括TI的ISO72x系列的关键功能。如信号速度、介质击穿电压、瞬态冲击电阻、功耗、磁场抗冲击性和可靠性等各方面都有良好的表现。表6总结了本报告中讨论的示例的特点。
设备
使用的技术
VCC（V）
信号速率（Mbps）
UL1577（VRMS）
Transient immunity (V / s)
功耗（mW）
磁场抗扰度
可靠性（MTTF），60%置信度（小时/故障）
ISO721
电容耦合
3.3或5
150
2500
25
60
+
1.25M
ADuM1100
电感耦合
5
100
2500
25
4.3
3.3
50
1.2
HCPL-0900
电感耦合
5
100
2500
15
30
288K
3.3
13.2
HCPL-0721
光耦合器
5
25
3750
10
95
++
175K
HCPL-0723
光耦合器
5
50
137.5
++
表6：不同数字隔离器参数
五、常见问题
1电隔离是什么意思？
电隔离是将具有非理想效果的部件与其他部件分开。在电子电路中，电介质是通过阻断直流电来隔离的。
2为什么电气隔离很重要？
所有电气装置至少在消耗计量点有隔离装置。隔离的目的是防止触电、烧伤和d道——电弧闪光的影响。。。隔离应保持安全，以防止电源重新连接。
3电隔离的类型是什么？
根据电力系统的位置，隔离器可分为母线侧、线路侧和转换母线侧三种类型。
4隔离变压器的优点是什么？
隔离变压器的另一个优点是可以减少电涌。由于电源的直流信号是隔离的，所以电气设备可以平稳运行而不存在电涌的风险。这意味着即使出现电源故障，设备也可以在高水平上运行。
5如何进行隔离测试？
通常情况下，您将两根导线（正极和负极）连接在绝缘屏障上。第三根导线连接到保护端子，可能在您的测试仪中可用，也可能不可用。如果是，你可能需要也可能不需要使用它。
6什么是隔离PLC？
过程控制模拟输入模块中的隔离。电流隔离是物理上和电气上分离两个电路的原理，这样就没有直接的传导路径，但是数据和电力仍然可以交换。这通常是通过变压器、光耦或电容器来实现的。
7什么是电源隔离？
一个隔离的电源有一个与它的电源输入电独立的电源输出。。。当一个电源有多个隔离的电源输出时，这意味着输出电压彼此独立，并且输出之间没有连接。
8隔离器和断路器的区别是什么？
隔离器和断路器之间的主要区别在于，隔离器在卸载条件下断开电路，而断路器在有载条件下断开电路。。。隔离器和断路器的 *** 作、功能和承受能力。
9隔离变压器能防止触电吗？
隔离变压器提供电流隔离；电源和负载之间没有导电路径。这种隔离用于防止电击，抑制敏感设备中的电噪声，或在两个不能连接的电路之间传输功率。
10为什么工厂和PLC CPU之间需要隔离？
这些传感器通常远离PLC本身，这意味着电缆敷设较长。这种情况通常会产生地电位差，从而使传感器数据倾斜并引入误差。需要某种形式的隔离以确保准确性
静电放电的起因有多种，但GB/T17626.2-2006主要描述在低湿度情况下，通过摩擦等因素，使人体积累了电荷。当带有电荷的人与设备接触时，就可能产生静电放电。
静电放电的起因：
1、试验目的：
2、试验单个设备或系统的抗静电干扰的能力。它模拟：
（1） *** 作人员或物体在接触设备时的放电。
（2）人或物体对邻近物体的放电。
静电放电可能产生的如下后果：
（1）直接通过能量交换引起半导体器件的损坏。
（2）放电所引起的电场与磁场变化，造成设备的误动作。
3、放电方式 ：
（1）直接放电（直接对设备的放电）：接触放电为首选形式；只有在不能用接触放电的地方（如表面涂有绝缘层，计算机键盘缝隙等情况）才改用气隙放电。
（2）间接放电：水平耦合，垂直耦合
试验方法：
1、有型式试验（在实验室进行）及安装现场试验两种，标准规定以前者为主。 试验中一般以1次/秒的速率进行放电，以便让设备对试验未来得及响应另外正式试验前要用20次/秒的放电速率，对被试设备表面很快扫视一遍，目的找出设备对静电放电敏感的部位。试验电压要由低到高逐渐增加到规定值。
3、静电放电用在平时可以用触摸到的点上。试验采用：
（1）单次放电。（2）在选定点与地之间进行放电。（3）每个点上至少放电10次（正或负极性）。（4）相邻两次放电之间至少间隔1秒在选择放电点的时候，则用每秒20次的放电速度进行，着力于寻找可能静电放电敏感的点。 对于邻近物体间的放电，可通过对接地板和试品附近（相距250px）的金属板（1250px×1250px）放电来模拟。
实验室试验的配置及气候环境：
（1）实验室的地面应设置接地参考平面，它应是一种最小厚度为0.25mm的铜或铝的金属薄板，其他金属材料虽可使用它们至少有0.65mm的厚度。接地参考面的最小尺寸1m²，实际的尺寸取决于受试设备的尺寸，而且每边至少应伸出受试设备或耦合板之外0.5m，并将它与保护接地系统相连。受试设备与实验室墙壁和其他金属性结构之间的距离最小1m。
（2）规定有耦合板的地方，例如允许采用间接放电的地方，这些耦合板采用和接地参考面相同的金属和厚度，而且每断带有一个470kΩ电阻的电缆与接地参考平面连接，当电缆置于接地参考平面上时，这些电阻器应耐受住放电电压且具有良好的绝缘，以避免对接地参考平面的短路，也可以防止静电电荷的积累。
（3）气候条件：在空气放电试验的情况下，气候条件应在下述范围内：
（4）环境温度：15°c～35°c 相对湿度：30%～60% 大气压力：86kPa～106kPa
对受试设备直接施加的放电：
（1）除非在通用标准、产品标准、产品类标准中有其他规定，静电放电只施加在正常使用时人员可解除的受试设备上的点和面。以下是例外的情况（即放电不施加在下述点）：
(a)维修时才接触得到的点和表面。这种情况下，特定的静电放电简化方法应在文件中注明。
(b)最终用户保养时接触到的点和表面，这些极少接触到的点，如换电池时接触到的电池、录音电话中的磁带等。
(c)设备安装固定后或按使用说明使用后不再能接触到的点和面，例如：底部和设备的靠墙面或安装端子后的地方。
(d)外壳为金属的同轴连接器和多芯连接器可接触到的点。该情况下，仅对连接器的外壳施加接触放电。非导电的（如塑料）连接器内可接触到的点，应只进行空气放电试验。
（2）为确定故障的临界点，试验电压应从最小值到选定的试验电压值逐渐增加，最后的试验值不应超过产品的规范值，以避免损坏设备。
（3）试验应以单次放电的方式进行，在预选点上，至少施加十次单次放电（最敏感的极性）。
（4）连续单次放电之间的时间间隔建议至少1s,但为了确定系统是否发生故障，可能需要较长的时间间隔。注：放电点通过以20次/s或以上放电重复率来进行试探的方法加以选择。
（5）静电放电发生器应保持与实施放电的表面垂直，以改善试验结果的可重复性。
（6）在实施放电的时候，发生器的放电回路电缆与受试设备的距离至少应保持0.2m。
（7）在接触放电的情况下，放电电极的顶端应在 *** 作放电开关之前接触受式设备。
（8）对于表面涂漆的情况，应采用以下的 *** 作程序：
（9）如设备制造厂家未说明涂膜为绝缘层，则发生器的电极头应穿入漆膜，以便与导电层接触，如厂家指明是绝缘层，则应只进行空气放电，这类表面不应进行接触放电试验。
（10）在空气放电的情况下，放电电极的圆形放点头应尽可能快地接近并触及受试设备（不要造成机械损坏）。每次放电之后，应将放电电极从受试设备移开，然后重新触发发生器，进行新的单次放电，这个程序应当重复至放电完成为止。
不接地设备的试验方法：
（1）不接地设备或设备的不接地部件不能如I类供电设备自行放电。若在下一个静电放电脉冲施加前电荷未消除，受试设备或受试设备的部件上的电荷累积可能使电压为预期试验电压的两倍。因此，双重绝缘设备的绝缘体电容经过几次静电放电累积，可能充电至异常高，然后以高能量在绝缘击穿电压处放电。
（2）为模拟单次静电放电（气隙放电或接触放电），在施加每个静电放电脉冲之前应消除受试设备上的电荷。
（3）因受试设备和水平耦合板（台式）之间以受试设备和接地参考平面（落地式）之间的电容取决于受试设备的尺寸。静电放电试验时，如果功能允许，应安装带泄放电阻的电缆。放电电缆的一个电阻应尽可能靠近受试设备的试验点，最好小于20mm，第二个电阻应靠近电缆的末端，台式设备的电缆连接于水平耦合板上，对于立式设备的电缆连接于参考面上。
（4）注意：带泄放电阻电缆的存在会影响某些设备的试验结果，有争议时，若在连续放电之间电荷能有效的衰减，施加静电放电脉冲时断开电缆的试验优于连接上电缆的试验
以下选择可作为替代方法：
（1）连续放电的时间间隔应长于受试设备的电荷自然衰减所需的时间
（2）使用带泄放电阻和碳纤刷的接地电缆（例如2×470KΩ）
静电放电抗扰度实验结果
（1）试验结果应依据受试设备的功能丧失或性能降级进行分类。相关的性能水平由设备的制造商或试验的需求方确定，或由产品的制造商和购买双方协商同意。建议按如下要求分类：
a) 在制造商、委托方或购买方规定的限值内性能正常
b) 功能或性能暂时丧失或降低，但在骚扰停止后能自行恢复，不需要 *** 作者干预；
c) 功能或性能暂时丧失或降低，但需 *** 作人员干预才能恢复；
d) 因设备硬件或软件损坏，或数据丢失而造成不能恢复的功能丧失或性能降低。
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3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。
• 封装级集成
利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：
堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。
3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：
嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。
WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。
在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括：
2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。
MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术：
• eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）
• eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装）
• WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
• IPD（集成无源器件）
• ECP（包封芯片封装）
• RFID（射频识别）
当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 制造方法
我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。
系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。
什么是系统级封装？
系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。
先进 SiP 的优势
为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案：
• 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 设计灵活性
• 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离
• 减少系统占用的PCB面积和复杂度
• 改善电源管理，为电池提供更多空间
• 简化 SMT 组装过程
• 经济高效的“即插即用”解决方案
• 更快的上市时间 (TTM)
• 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块
应用
当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。
以下是高级 SiP 应用的一些示例：
根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。
在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。
长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。
颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE
长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。
fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。
长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连：
铜焊线
作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。
层压封装
基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。
除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。
引线框架封装
引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。
存储器器件
除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。
全方位服务封装设计
我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
MEMS and Sensors
随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。
传感器
传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等
微机电系统 (MEMS)
MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。
集成一站式解决方案
凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置
2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片
3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置
4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
全方位一站式解决方案的优势
• 缩短产品上市时间
• 提升整体流程效率
• 提高质量
• 降低成本
• 简化产品管理
长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。
晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。
长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。
封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。
用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。
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