半导体存储器有几类，分别有什么特点？

1、随机存储器

对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。

特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。

2、只读存储器

用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。

特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。

3、串行存储器

它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。

特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。

扩展资料：

半导体存储器优点

1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。

2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。

3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。

参考资料来源：百度百科-半导体集成存储器

存储器的存储介质是半导体，一般称为半导体存储器，由大量相同的存储单元和输入、输出电路等构成。每个存储单元有两个不同的表征态0和1，用以存储不同的信息。半导体存储器是构成计算机的重要部件。同磁性存储器相比，半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，并且存储单元阵列和主要外围逻辑电路兼容，可制作在同一芯片上，使输入输出接口大为简化。

半导体存储器的分类

按功能的不同，半导体存储器可分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和串行存储器三大类。随着半导体集成电路工艺技术的发展，半导体存储器容量增长非常快，单片存储容量已进入兆位级水平，如16兆动态随机存储器（DRAM）已商品化，64兆、256兆DRAM在研制中。

用256K＊8位的FLASH存储芯片组成1M＊16位的半导体只读存储器，需要8片FLASH存储芯片。

1M＊16位的半导体只读存储器＝1024K＊8位的半导体只读存储器。因此1024K＊8位／（256K＊8位）＝8片。

计算机存储单位用字节(Byte)、千字节(KB)、兆字节(MB)、吉字节(GB)、太字节(TB)、拍字节(PB)、艾字节(EB)、泽它字节(ZB)、尧它字节(YB)表示。换算关系是：1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB，1PB=1024TB，1EB=1024PB，1ZB=1024EB，1YB=1024ZB。

扩展资料：

半导体只读存储器所存数据,一般是在装入整机前事先写好的。整机工作过程中只能从只读存储器中读出事先存储的数据，而不象随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。写入速度比较慢，每位写入速度约需几十至几百毫秒，写完整片存储器需要几十到几百秒。

由于 ROM所存数据比较稳定、不易改变、即使在断电后所存数据也不会改变；其次，它的结构也比较简单，读出又比较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

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