半导体中载流子数量与电导率的关系

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：

等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p），一定体积的半导体中，电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为电子电荷；第三个字母μn（P型用μp）称为电子（空穴）迁移率，与浓度无关。

再补充一句，你理解的很对，但在半导体中不适用“数量”这个词，一般使用的都是浓度来表征掺杂的多少~

本征半导体中流体越多导电越强。

本征半导体（intrinsic semiconductor)）是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净，此类半导体称为杂质半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体或I型半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。

在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conduction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子空穴对。

复合半导体：

导带中的电子会落入空穴，使电子—空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。

加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子—空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。