为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移，而不是右移？

温度升高，半导体中会有更多的束缚电子摆脱共价键，成为载流子，半导体的导电性能增加（也可以理解为电阻变小了），相同的电流通过，压降自然就小（u=ir）。并且三极管（两个pn结，本质还是半导体），所以输入特性曲线左移（左移，在相同电流下，温度高的u小）。

1、由于材料的特性和制造工艺的差异，半导体三极管的直流放大系数β并不是一条直线，也就是说，随着基极电流的变化，β也有少量变化，尤其在Ib较小时，β也较小，因此，设置三极管的工作点时一般都安排在β曲线的较平坦的区域，这样的区域就是说明书中提供β的直流测试参数。2、在Ib不变的情况下，Ube会随着环境温度的变化而变化，平常说的硅材料三极管的Ube为0.6~0.7V左右，这是室温在25°C时的测试值。经测试，硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加一度，Ube就变化 -2.5mV/°C，也就是说，随着温度的增加，Ube就线性减小。

温度对三极管参数的影响

几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

（1）对β的影响：

三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。

（2）对反向饱和电流ICEO的影响：

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。

（3）对发射结电压ube的影响：

和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施(如加装散热片等）克服温度的影响。

---