半导体股票有哪些？

半导体股票的龙头股如下：

1、中芯国际

中国内地规模大、技术先进的集成电路芯片制造企业。中芯国际主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂，提供 0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务。

2、韦尔股份

全球CIS龙头，主营半导体分立器件和电源管理IC等半导体产品的研发设计以及被动件、结构性、分立器件和lC等半导体产品的分销业务。投资的韦豪创芯投资了包括景略半导体、爱芯科技、普诺飞思、新光维医疗科技以及地平线等半导体企业。

3、紫光国微

国内最大的集成电路设计上市公司之一。 公司以智慧芯片为核心，聚焦数字安全、智能计算、功率与电源管理、高可靠集成电路等业务，是领先的芯片产品和解决方案提供商，产品广泛应用于金融、电信、政务、汽车、工业互联、物联网等领域。

4、圣邦股份

国内模拟芯片龙头企业，主营模拟芯片的研发和销售，广泛应用于消费电子、通讯设备、工业控制、医疗仪器、汽车电子等领域以及物联网、新能源、智能穿戴、人工智能、智能家居、智能制造、5G通讯等。

5、士兰微

专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司现在的主要产品是集成电路和半导体产品。

6、长电科技

全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商，致力于为全球客户和合作伙伴提供全方位的微系统集成一站式服务，包括集成电路的系统集成封装设计、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体供应商提供直运。

中国半导体芯片龙头股排名前十的有：1、北方华创；2、中芯国际；3、兆易创新；4、卓胜微；5、紫光国微；6、韦尔股份；7、北京君正；8、华润微；9、扬杰科技；10、长电科技。

1、 北方华创。北方华创科技集团股份有限公司，简称北方华创，股票代码002371，是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。

2、 中芯国际。中芯国际集成电路制造有限公司，港交所股票代码00981，上交所科创板证券代码688981。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团。

3、 兆易创新。北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005年，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月，公司在上海证券交易所成功上市，股票代码603986。在中国市场，兆易创新的SPINORFLASH市场占有率为第一，同时也是全球排名前三的供应商之一。兆易创新的触控和指纹识别芯片广泛应用在国内外知名移动终端厂商，是国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。

4、 卓胜微。江苏卓胜微电子股份有限公司成立于2012年8月10日，于2019年6月18日在深圳证券交易所创业板上市，股票简称卓胜微，股票代码300782。公司专注于射频集成电路领域的研究、开发与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品，同时公司还对外提供低功耗蓝牙微控制器芯片。

我推荐的半导体股票是士兰微、上海贝岭，集成电路技术非常成熟。半导体行业一直被许多投资者称为“欺骗女性对男性的感情”，因为它不稳定，持有投资者更痛苦，抛弃和不情愿。在股票投资方面，坚持长期持有的想法是没有错的，短期市场很难确定，长期是相对容易的，投资者可以以更冷静的心态赚到公司利润的钱，产业升级的钱，产业扩张的钱，但如果投资的是半导体类股，短期波动较大，如果您的风险承受能力不高，收益也已达到预期目标，可以考虑停止盈利。如果您担心止盈后继续上涨，不妨选择分批出售，先将部分收益放入包内避险，以长期持有的心态进行投资，在适当的情况下放下包内避险也是一个明智的选择。值得一提的是，半导体行业是一个具有长期投资潜力的行业。今年，半导体行业预计将继续增长，而且业绩更加肯定。

士兰微公司是一家专业从事集成电路及半导体微电子相关产品设计、生产、销售的高新技术企业。公司主要产品为集成电路及其相关应用和解决方案，主要集中在以下三个领域:面向消费数字音频和视频应用的集成电路产品，包括基于光盘伺服的芯片和系统。上海贝岭股份有限公司，前身为上海贝岭微电子制造有限公司，由上海市仪器局和上海贝尔公司于1988年组建而成。这是中国集成电路行业第一家中外合资企业。公司于1998年8月改制上市，更名为上海贝岭股份有限公司，是中国集成电路行业第一家上市公司。

在单个晶片上或在单个晶片上外延晶片上制造半导体器件作为衬底。熔体生长可以产生大量的半导体单晶。使用最广泛的是纤毛法，用于生产80%的硅，大部分的锗和锑化铟单晶，其最大直径达到300毫米。通过磁场的熔体称为磁拉法，这种方法产生了高均匀性的硅晶体。通过在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂，采用液体密封的方法制备了具有较大解压缩率的砷化镓、磷化镓和磷化铟单晶。通过悬浮区熔融生长纯度的硅单晶，其中熔体不接触容器。采用水平区域熔融法制备锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，垂直定向结晶法主要用于制备碲化镉和砷化镓。

在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。列示法包括气相法、液相法、固相法、分子束外延法等。工业生产中采用化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物的相外延和分子束外延用于制备量子阱和超晶格等微观结构。通常通过不同类型的化学气相沉积和磁控溅射在玻璃、陶瓷和金属基底上制备微晶膜和多晶膜。

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