电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料,它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。
半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。
扩展资料:能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。
例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价键,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢浅能级—施主能级。
施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多,很易激发到导带成为电子载流子,因此对于掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是被激发到导带中的电子,属电子导电型,称为N型半导体。
掺入杂质的半导体称为【杂质半导体】。
根据掺入的杂质不同,它可分为【N型半导体】和【P型半导体】两种。
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