放大电路的组成原则： 1．保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。 2．输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。 3．输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。
一．实验目的1．对晶体三极管(3DG6、9013)、场效应管（3DJ6G）进行实物识别，了解它们的命名方法和主要技术指标。2．学习用数字万用表、模拟万用表对三极管进行测试的方法。3．用图3-10提供的电路，对三极管的β值进行测试。4．学习共射、共集电极（*）、共基极放大电路静态工作点的测量与调整，以及参数选取方法，研究静态工作点对放大电路动态性能的影响。5．学习放大电路动态参数（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失真输出电压）的测量方法。6.调节CE电路相关参数，用示波器观测输出波形，对饱和失真和截止失真的情况进行研究。7．用Multisim软件完成对共射极、共集电极、共基极放大电路性能的分析，学习放大电路静态工作点的测试及调整方法，观察测定电路参数变化对放大电路的静态工作点、电压放大倍数及输出电压波形的影响。加深对共射极、共集电极、共基极基本放大电路放大特性的理解。二．知识要点1．半导体三极管半导体三极管是组成放大电路的核心器件，是集成电路的组成元件，在电路中主要用于电流放大、开关控制或与其他元器件组成特殊电路等。半导体三极管的种类较多，按制造材料不同有硅管、锗管、砷化镓管、磷化镓管等；按极性不同有NPN型和PNP型；按工作频率不同有低频管、高频管及超高频管等；按用途不同有普通管、高频管、开关管、复合管等。其功耗大于1W的属于大功率管，小于1W的属于小功率管。半导体三极管的参数主要有电流放大倍数β、极间反向电流ICEO、极限参数（如最高工作电压VCEM、集电极最大工作电流ICM、最高结温TjM、集电极最大功耗PCM）以及频率特性参数等。有关三极管命名、类型以及参数等可查阅相关器件手册。下面给出几种常用三极管的参数举例如表3-01所示：表3-01几种常用三极管的参数参数PCM(mW）ICM(mA)VBRCBO(V)ICBO(μAhFEfT(MHz)极性3DG100D1002040140.01NPN3DG200A10020150.125~2700.01NPNCS9013H400500250.5144150NPNCS9012H600500250.5144150PNP参数VP(V)IDSSgm(mA/V)PDM(mW)rGS（Ω）fM3DJ6G-93~6.5110010830N沟道2．半导体三极管的识别与检测半导体三极管的类型有NPN型和PNP型两种。可根据管子外壳标注的型号来判别是NPN型，还是PNP型。在半导体三极管型号命名中，第二部分字母A、C表示PNP型管；B、D表示NPN型管；而A、B表示锗材料；C、D表示硅材料。另外，目前市场上广泛使用的9011～9018系列高频小功率9012、9015为PNP型，其余为NPN型。半导体三极管的型号和命名方法，与半导体二极管的型号及命名方法相同，详见康华光第四版P44页附录或者参考有关手册。(1)三极管的电极和类型判别1)直观辨识法。半导体三极管有基极(B)、集电极(C)和发射极(E)三个电极，如图3-11所示，常用三极管电极排列有E-B-C、B-C-E、C-B-E、E-C-B等多种形式。2)特征辨识法。如图3-01所示，有些三极管用结构特征标识来表示某一电极。如高频小功率管3DGl2、3DG6的外壳有一小凸起标识，该凸起标识旁引脚为发射极；金属封装低频大功率管3DD301、3AD6C的外壳为集电极等。图3-11三极管结构特征标识极性3)万用表欧姆档判别法如图3-12所示，选用指针式万用表欧姆档R×lkΩ档。首先判定基极b方法：用万用表黑表笔碰触某一极，再用红表笔依次碰触另外两个电极，并测得两电极间阻值。若两次测得电阻均很小(为PN结正向电阻值)，则黑表笔对应为基极且此管为NPN型；或者两次测得电阻值均很大(为PN结反向电阻值)，但交换表笔后再用黑笔去碰触另两极，也测量两次，若两次阻值也很小，则原黑表笔对应为管子基极，且此管为PNP型。注意：指针式万用表欧姆档时，黑表笔则为正极，红表笔为负极；这与（a）（b）数字式万用表不同。图3-12万用表欧姆档判别法其次，判别集电极和发射极。其基本原理是把三极管接成基本放大电路，利用测量管子的电流放大倍数值β的大小，来判定集电极和发射极。以NPN管为例说明，如图3-12b所示，基极确定后，不管基极，用万用表两表笔分别接另两电极，用100kΩ的电阻一端接基极，电阻的另一端接万用表黑表笔，若表针偏转角度较大，则黑表笔对应为集电极，红表笔对应为发射极。也可用手捏住基极与黑表笔(但不能使两者相碰)，以人体电阻代替l00kΩ电阻的作用(对于PNP型，手捏红表笔与基极)。上面这种方法，实质上是把三极管接成了正向偏置状态，若极性正确，则集电极有较大电流。(2)硅管、锗管的判别根据硅材料PN结正向电阻较锗材料大的特点，可用万用表欧姆R×1kΩ档测定，若测得PN结正向阻值约为3～l0kΩ，则为硅材料管；若测得正向阻值约为50～1kΩ，则为锗材料管。或测量发射结(集电结)反向电阻值，若测得反向阻值约为500kΩ，则为硅材料管；若测得反向阻值约为100kΩ，则为锗材料管。3．三极管场效应管放大电路共射极放大电路既有电流放大作用，又有电压放大作用，故常用于小信号的放大。改变电路的静态工作点，可调节电路的电压放大倍数。而电路工作点的调整，主要是通过改变电路参数(Rb、Rc)来实现。(负载电阻RL的变化不影响电路的静态工作点，只改变电路的电压放大倍数。)该电路信号从基极输入，从集电极输出。输入电阻与相同材料的二极管正向偏置电阻相当，输出电阻较高，适用于多级放大电路的中间级。共集电极放大电路信号由晶体管基极输入，发射极输出。由于其电压放大倍数Av接近于l，输出电压具有随输入电压变化的特性，故又称为射极跟随器。该电路输入电阻高，输出电阻低，适用于多级放大电路的输入级、输出级，还可以作为中间阻抗变换级。共基极放大电路信号由晶体管发射极输入，集电极输出。其电流放大倍数Ai接近于1但恒小于1，(又叫电流跟随器)，电压放大倍数Av共射极放大器相同，且输入电压与输出电压同相。其输入电阻低，只有共射放大电路的l／(1+β)倍，输出电阻高，输入端与输出端之间没有密勒电容，电路频率特性好，适用于宽带放大电路。下面以图3-13基本共射放大电路为例进行说明。(1)放大电路静态工作点的测量和调试由于电子元件性能的分散性很大，在制作晶体三极管放大电路时，离不开测量和调试技术。在完成设计和装配之后，还必须测量和调试放大电路的静态工作点及各项指标。一个优质的放大电路，一个最终的产品，一定是理论计算与实验调试相结合的产物。因此，除了熟悉放大电路的理论设计外，还必须掌握必要的测量和调试技术。放大电路的测量和调试主要包括放大电路静态工作点的测量和调试、放大电路图3-13基本共射放大电路（固定偏置式）各项动态指标的测量和调试、消除放大电路的干扰和自激等。在进行测试之前，务必先检查三极管的好坏，并确定具体的β值。1)静态工作点Q的测量放大电路静态工作点的测量是在不加输入信号(即VI=0)的情况下进行的。静态工作点的测量是指三极管直流电压VBEQ、VCEQ和电流ICQ的测量。应选用合适的直流电压表和直流毫安表，分别测量三极管直流电压VBEQ、VCEQ和ICQ。为了避免更改接线，采用电压测量法来换算电流。例如，只要测出实际的Rb、RC的阻值，即可由；；（或）提示：在测量各电极的电位时最好选用内阻较高的万用表，否则必须考虑到万用表内阻对被测电路的影响。2)静态工作点的调整测量静态工作点ICQ和VCEQ的目的是了解静态工作点的设置是否合适。若测出VCEQ<0.5V，则说明三极管已进入饱和状态；如果VCE≈VCC，则说明三极管工作在截止状态。对于一个放大双极性信号(交流信号)的放大电路来说，这两种情况下的静态偏置都不能使电路正常工作，需要对静态工作点进行调整。如果是出现测量值与选定的静态工作点不一致，也需要对静态工作点进行调整。否则，放大后的信号将出现严重的非线性失真和错误。通常，VCC、Rc都已事先选定，当需要调整工作点时，一般都是通过改变偏置电阻Rb来实现。应当注意的是．如果偏置电阻Rb选用的是电位器，在调整静态工作点时，若不慎将电位器阻值调整过小(或过大)，则会使IC过大而烧坏管子，所以应该用一只固定电阻与电位器串联使用。图3-18电路中是用Rb1和电位器Rb2串联构成Rb。2．放大电路的动态指标测试放大电路的主要指标有电压放大倍数Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro,以及最大不失真输出电压VO(max)等。在进行动态测试时，各电子仪器与被测电路的连接如图3-14所示。实验电路则如后面的图3-18所示。图3-14实验电路与各测试仪器的连接提示：为防止干扰，各仪器的公共接地端与被测电路的公共接地端应连在一起。同时，信号源、毫伏表和示波器的信号线通常都采用屏蔽线，而直流电源VCC的正、负电源线可只需普通导线即可。(1)电压放大倍数Av的测量输入信号选用1KHz、约5mV的正弦交流信号，用示波器观察放大电路输出电压VO的波形，在输出信号没有明显失真的情况下，用毫伏表测得VO和VI，于是可得。(2)最大不失真输出电压的测量放大电路的线性工作范围与三极管的静态工作点位置有关。当ICQ偏小时，放大电路容易产生截止失真；而ICQ偏大时，则容易产生饱和失真。需要指出的是，当ICQ增大时，VO波形的饱和失真比较明显，波形下端出现“削底”，如图3-15a所示。而当ICQ减小时，VO波形将出现截止失真，如图3-15b所示，波形上端出现“削顶”。（a）（b）（c）当放大电路的静态工作点调图3-15静态工作点对输出电压Vo波形的影响整在三极管线性工作范围的(a)VO易出现饱和失真(b)VO易出现截止失真中心位置时，若输入信号(c)VO波形上下半周同时出现失真VI过大，VO的波形也会出现失真，上下同时出现“削顶”和“削顶”失真，如图3-15(c)所示。此时，用毫伏表测出VO的幅度，即为放大电路的最大不失真输出电压Vo（max）。(3)输入电阻Ri的测量输入电阻的测量电路如图3-16所示。图3-16测量输入电阻的电路放大电路的输入电阻：在放大电路的输入端串联一只阻值已知的电阻RS（可取510Ω），见图3-16所示，通过毫伏表分别测出RS两端对地电压，求得RS上的压降(Vs-Vi)，则：所以有通过测量VS和Vi来间接地求出RS上的压降，是因为RS两端没有电路的公共接地点。若用一端接地的毫伏表测量，会引入干扰信号，以致造成测量误差。(4)输出电阻的测量放大电路的输出端可看成有源二端网络。如图3-17所示。图3-17测量输出电阻的电路用毫伏表测出不接RL时的空载电压Vo’和接负载RL后的输出电压Vo，即可间接地推算RO的大小：。(5)放大电路频率特性的测量放大电路频率特性是指放大电路的电压放大倍数Av，与输入信号频率之间的关系。Av随输入信号频率变化下降到0.707Av。时所对应的频率定义为下限频率和上限频率，通频带为。上、下限频率可用以下方法测量：先调节输入信号Vi使Vi频率为1kHz；调节Vi幅度，使输出电压Vo幅度为1V。保持Vi幅度不变，增大信号Vi的频率，Vo幅度随着下降，当Vo下降到0.707V时，对应的信号额率为上限频率；保持Vi幅度不变，降低Vi频率，同样使Vo幅度下降到0.707V时，对应的信号频率为下限频率。(6)观察截止失真、饱和失真两种失真现象测量电路如图3-18所示，在ICQ=3.0mA，RL=∞情况下，增大输入信号，使输出电压保持没有失真，然后调节电位器Rb2阻值，改变电路的静态工作点，使电路分别产生较为明显的截止失真与饱和失真，测出产生失真后相应的集电极静态电流。做好相应的实验记录。图3-18共射放大电路举例图3-19共射放大电路对应的三个仿真电路图图3-20共集电极放大电路举例三．实验内容1．查阅手册并测试晶体三极管(3DG100D、CS9013)、场效应管（3DJ6G）的参数，记录所查和所测数据。2．用晶体三极管3DG100D或CS9013组成如图3-21所示单管共射极放大电路，通过改变电位器R2，使得VCE为4V，测量此时VCEQ、VBEQ、Rb的值，计算放大电路的静态工作点Q对应的三个参数值。3．在下列两种情况下，测量放大电路的电压放大倍数和最大Av不失真输出电压VOMAX。(1)RL=R4=∞（开路）②RL=R4=10kΩ。建议：最初使用1KHz、5mV的正弦信号作为输入信号进行测试；然后改变输入信号的幅值，使用双踪显示方式同时显示VI与VO，进行监视，尽量选择较大幅度的正弦信号作为放大器的VI，在保证VO波形不失真的条件下图3-21单管共射极放大电路进行测量。（若VO波形失真，所测动态参数就毫无意义）。表3-09静态数据记录表实测值实测计算值VCE（V）VBE（V）Rb（KΩ）VCEQ（V）IBQ（μA）ICQ（mA）表3-10测AV的记录表实测值理论估算值实测计算值Vi（mV）Vo（mV）AVAV4．观察饱和失真和截止失真，并测出相应的集电极静态电流。5．测量放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。*6．按照图3-10设计BJT的β测试电路，确定电路中所有元器件和输入电压的参数值，并对测试结果进行比较和误差分析。图3-10BJT的β值测试电路图*7．测量图3-18放大电路带负载时的上限频率和下限频率。*8．实验电路如图3-20所示，要求仿真并实物实现电路，计算并实测电路的输入电阻和输出电阻。四．思考题1．Rb为什么要由一个电位器和一个固定电阻串联组成？2．电解电容两端的静态电压方向与它的极性应该有何关系？3．如果仪器和实验线路不共地会出现什么情况？通过实验说明。五．实验报告1．按照实验准备的要求完成设计作业一份，并估算放大电路的性能指标。2．记录实验中测得的有关静态工作点和电路的Au、Vo(max)、Ri和Ro的数据。3．认真记录和整理测试数据，按要求填入表格并画出输入、输出对应的波形图。4．对测试结果进行理论分析，找出产生误差的原因。5．详细记录组装、调试过程中发生的故障或问题，进行故障分析，并说明排除故障的过程和方法。6．写出对本次实验的心得体会，以及改进实验方法的建议。提示：1．组装电路时，不要弯曲三极管的三个电极，应当将它们垂直地插入面包板孔内。2．先分别组装好电路，经检查无误后，再打开电源开关。3．测试静态工作点时，应关闭信号源。4．本实验接点多，元器件多，组装时一定要确保接触良好，否则，会因接触不良，出现错误或造成电路故障。晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
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