设计一个实验,首先将一块本征半导体变为p型半导体，然后再设浓度使它变成n型半导体

硅(Si)材料中离子注入硼或者硼源高温炉管参杂低浓度。比如1e14，这时候为p型半导体，再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。

通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体，例如，掺入硼可得到P型，掺入磷或砷可得到N型。

比如硅材料中参入3价元素杂质（如硼），杂质原子贡献一个空穴，使得原本征半导体成为P型半导体，参入5价元素（如砷）可使得杂质原子贡献1个自由价电子，使得原本征半导体成为N型半导体。

扩展资料：

在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。

半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

参考资料来源：百度百科-本征半导体

半导体掺入杂质，产生出电子为多数载流子的，叫N型半导体；如果产生出空穴为多数载流子的，就叫P型半导体。

N、P型半导体通过工艺结合到一起时，由于载流子浓度差相互扩散，在两块半导体的结合部便形成由离子相互作用形成的一个内建电场

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