第一代、第二代、第三代半导体材料分别是？

1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

扩展资料

Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料百度百科——半导体材料

磷光是一种常在掺稀土无机晶体和有机分子晶体中观察到 迷人的光电子现象， 在光信息存储、彩色显像和生物剂量学等方面具有很大的潜力。近日，来自中山大学等单位的研究人员通过X射线激发，在AlN单晶闪烁体中发现了超长本征磷光(>20000秒)。相关论文以题为“X-ray radiation excited ultralong (>20,000 seconds) intrinsic phosphorescence in aluminum nitride single-crystal scintillators”发表在Nature Communications上。

论文链接：

https://www.nature.com/articles/s41467-020-18221-1

特殊的辐射跃迁途径，如有机分子晶体中聚集三重态激子的重组，使长寿命的激发态电子实现持久磷光的辐射复合，其在彩色显像、光信息存储和生物成像等方面具有重要的应用前景。长期磷光通常出现在掺稀土的无机晶体和无金属有机分子中，得益于其特殊的电子结构配置，实现了磷光机理。而当前外来稀土元素和有机组分磷光发射的持续时间较短。面对这些障碍，无机材料中由于自身缺陷或形成激子而产生的本禀发光表现出更大的潜力，可实现稳定且超长的磷光发射。

在无机半导体中，光的发射通常是通过从激发态到基态的直接辐射跃迁来实现的，这是典型的带边跃迁，严格符合跃迁选择规则。还有一种情况是激发态和基态具有相同的奇偶性，它们之间的直接跃迁是禁止的。然而，通过声子辅助跃迁过程，可以实现跃迁。在这种情况下，电子跃迁通常类似于三态激发(T1)激子的电子跃迁，期望得到持续的磷光。

氮化铝(AlN)是一种具有约6.2 eV超宽禁带的无机半导体，其磷光、光致发光(PL)和热致发光(TL)等特性引起了广泛关注。本文中，研究者利用X射线激发AlN单晶(SCs)，得到了一种紫外(UV)超长本征磷光(UIP；>20000 s)。理论研究表明，含氮空位的氮化铝(AlN)的电子结构配置可以满足上述持久性的磷光机理。对于AlN SCs, 在X射线光子的作用下吸收产生了大量高能非定常激发态电子。由于量子选择规律，激发态电子通过声子辅助跃迁和通过发射持续的磷光带内多过程跃迁弛缓到基态。

图1 AlN SCs的晶体结构和磷光。

图2 在AlN SCs中X射线激发的超长磷光。。

图3 超长固有磷光的机理。

图4 高温N2退火AlN SCs表面缺陷分析。

在半导体制造技术方面，源气氛退火通常被认为是减少缺陷的有效方法。在此基础上，研究者采用高温N2退火的方法降低了氮化铝SCs在晶体表面的缺陷。退火后由266 nm激光激发的PL光谱显示，晶体的UV和黄色发射强度明显下降(图4a)。在325 nm的激发下，晶体只有黄色发射。在图4a中，不同激发下的PL光谱呈现出合理的变化，在325 nm激发下，UV发射消失，这与VN缺陷能级的计算是一致的。值得注意的是，低能量激发(比X射线小得多)下的辐射跃迁非常快，这说明吸收跃迁严格遵循低能量激发下的量子选择规则。激发态电子允许直接辐射跃迁。

综上所述，研究者提出了在高能X射线激发下可实现AlN SCs的超长(20,000 s)本征UV磷光。在AlN SCs中发现的X射线激发的超长磷光，对理解无机材料的固有磷光机理和高能射线剂量学的应用具有重要意义。（文：水生）

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