金属与p型半导体接触后加正偏或反偏电压，电子空穴怎么移动

p型半导体上加正偏压，其中的空穴（多子）会在电场作用下向金属端移动，金属中含有的自由电子向p型半导体端移动，并在界面处被复合，金半结导通。

p型半导体上加负偏压，界面处在电场作用下耗尽曲变宽，金半结不导通，仅有很小的漏电流。

当然有，但通常采用的是n型半导体，主要原因如下：1.载流子迁移率。电子迁移率远高于空穴迁移率，因此选用n型半导体可以获得良好的频率特性。2.正向导通电压。与n型相比，p型肖特基结往往正向导通电压过低，反向漏电流过高，制备更加困难（容易变成欧姆接触）。3.耐高温性。CMOS工艺往往需要高温退火处理，同样基于漏电流过高等问题，退火后p型肖特基接触易变成欧姆接触。当然还有其他一些因素，但基于n型肖特基结的成熟，自然是工业生产的首选。随着材料科学的发展，越来越多具有优越性能的p型半导体材料涌现，稳定的高质量p型肖特基结是可以实现的。n型肖特基结最大的问题是采用贵金属（Au，Pt等），而p型肖特基结采用低功函数的金属（Al，Ti等），这是一个显著优势。以上。

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