半导体物理与器件1-3章笔记

通常半导体材料都是单晶材料。单晶材料的电学特性——化学组成，原子排列。

半导体——元素半导体（IV四价，Si Ge），化合物半导体（V，III三价五价；IV）

单晶——空间晶格——BCC,SC,FCC晶格类型——晶格结构/晶格尺寸（晶格常数）——原子体密度（计算方法见示例）——晶面和米勒指数——最近间距，原子的面密度——Si的金刚石结构

为什么原子集合倾向于特定的晶格结构：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值。

原子间的相互作用可以用量子力学描述

原子价键（最外层电子）

离子键——共价键——金属键——范德华键（电偶极子）

固体中的缺陷和杂质——很大程度上影响电学性能

固有缺陷——热振动（热能——温度的函数）

点缺陷：空位缺陷，填隙缺陷，弗仑克尔缺陷（空位和填隙离得很近）

线缺陷：

杂质：替位杂质，填隙杂质

掺杂：杂质扩撒，离子注入。

这类问题是几乎没办法回答的，即使有答案的话大都是印刷品，很难拿来回答的，况且刚刚好有这本书的人又是少之又少，这类问题真的几乎可以说是强人所难了，即使给200分都很少人可以答得出来，不是说我们不热心，这真的超出大部分人的能力范围，因为各类练习多如繁星，没有那么多蛋疼的人会把印刷品打成电子版的，说不定连书的编辑都没有电子版的，所以问这类问题几乎没有意义。不信你到教育科学类的0回答页看看，有很多是要书答案的，绝大部分最后都是关闭或者胡乱采纳一个的。

以上纯手打。

希望我的回答对您有所帮助。

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