卓兴半导体3C固晶法则是什么?

卓兴半导体3C固晶法则是什么?,第1张

3C固晶法则分别指的是3个英文单词的首字母:Correction校正、Control控制、Continuity连续。分别对应的在固晶工艺中解决角度、速度、良率和固晶范围等问题需要用到的工艺方法。下面我详细介绍下这三个方法:

一是角度校正(Correction),包含两个部分:1、晶圆环校正,保证固晶机摆臂抓取晶圆时位置更准,抓取成功率更高;2、是晶圆校正,当晶圆被抓取之后通过动态角度调整,保证晶圆贴合姿态更正,位置误差更小。

二是压力控制(Control),贴合模组内置高精度直线和旋转运动,在芯片贴合的同时进行压力检测和控制,以保证每一个芯片都能以完美的力度贴合到基板对应位置,固晶良率达到99.99%以上。

三是连续固晶(Continuity),卓兴半导体创新双臂同步固晶模式,单位时间内比传统固晶机效率提高一倍。此外,卓兴半导体还有双臂6晶圆环混打设计,一次装夹完成RGB三色固晶,效率更高,单位时间内固晶更多。目前卓兴半导体固晶效率可以达到40K/H,高于市场平均水平。

(1)求线圈中中感应电动势的大小为

E=△Φ/△t=S△B/△t=0.5*(0.06+0.04)/0.05=1V

(2)在t=0.03s时,圆盘刚好转到使细光束通过扇形b照射光敏电阻R,

此时光敏电阻的阻值为 R=20Ω

通过R的电流为 I=E/R=1/20=0.05A

R的功率为 P=EI=0.05W.

---------

R的阻值分别为10W、20W、40W。??????????

这种晶圆贴片环mounting frame 是封测工序的重要步骤,这环节英文叫wafer frame mounting, 中文可称晶圆上环这工序需配合特种胶膜,以封膜机张力来固定半导体晶圆以利切割


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