0.670mm左右。晶圆必须要减薄,否则对划片刀的损耗很大,而且要划两刀。我们做DIP封装,4寸晶圆要减薄到0.300mm;6寸晶圆要减薄到0.320mm左右,误差0.020mm。
半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶,与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长,新生长的单晶层称为外延层,长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同,厚度一般在500-800微米,常用的外延层厚度为2-100微米。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
0.670mm左右。晶圆必须要减薄,否则对划片刀的损耗很大,而且要划两刀。我们做DIP封装,4寸晶圆要减薄到0.300mm;6寸晶圆要减薄到0.320mm左右,误差0.020mm。
半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶,与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长,新生长的单晶层称为外延层,长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同,厚度一般在500-800微米,常用的外延层厚度为2-100微米。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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