求教:半导体器件中: LG,DR,FL,MD，CIS,NROM,EE,HV,SOC分别代表什么器件？

LG：logic

DR: dram

FL: flash

MD: microdisplay

CIS: cmos image sensor

NROM: flash项目的一个代号

EE: EEPROM

HV: high voltage

SOC: system on chip

你是中心的吧？

费米分布函数，就是那个抛物线的图像，F（E）=1/[1+exp((E-Ef)/kt)]

这是一个概率分布，当能量为跟Ef一样的时候，刚好就是分布概率为二分之一，所以你知道E就好了，但是导带和价带是不一样的，你最好还是看看书吧说起来很复杂。

费米能级Ef

就一个由费米子组成的微观体系而言，每个费米子都处在各自的量子能态上。现在假想 把所有的费米子 从这些量子态上移开。之后再把这些费米子按照一定的规则（例如泡利原理等）填充在各个可供占据的量子能态上，并且这种填充过程中每个费米子都占据 最低的可供占据的量子态。最后一个费米子占据着的量子态 即可粗略理解为费米能级。 虽然严格来说，费米能等于费米子系统在趋于绝对零度时的化学势；但是在半导体物理和电子学领域中，费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。一般来说，“费米能级"这个术语所代表的含义可以从上下语境中判断。

费米子可以是电子、质子、中子（自旋为半整数的粒子）

对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。

费米能级的物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的几率是1/2。

费米能级在半导体物理中是个很重要的物理参数，只要知道了它的数值，在一定温度下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定了。它和温度，半导体材料的导电类型，杂质的含量以及能量零点的选取有关。

n型半导体费米能级靠近导带边，过高掺杂会进入导带。 p型半导体费米能级靠近价带边，过高掺杂会进入价带。

将半导体中大量电子的集体看成一个热力学系统，可以证明处于热平衡状态下的电子系统有统一的费米能级。

---