关于半导体芯片抗反向浪涌试验，基多年之发展，已由开始阶段的“反向过电压冲击”逐渐进展到“反向过电流冲击”、“反向功率冲击”并发展到目前的“非重复雪崩能量”、“重复雪崩耐量(规定瞬态脉冲宽度)”。说明了半导体芯片抗浪涌耐量的提升，现已普遍在SBD、SFD、FRED等制品上得到应用。
1、辐射发射测试
测试电子、电气和机电设备及其组件的辐射发射，包括来自所有组件、电缆及连线上的辐射发射，用来鉴定其辐射是否符合标准的要求，一致在正常使用过程中影响同一环境中的其他设备。
2、传导骚扰测试
为了衡量设备从电源端口、信号端口向电网或信号网络传输的骚扰。
3、静电放电抗扰度测试
测试单个设备或系统的抗静电放电干扰能力，它模拟： *** 作人员或物体在接触设备时的放电；人或物体对临近物体的放电。静电放电可能产生以下后果：直接通过能量交换引起半导体器件的损坏、放电所引起的电场磁场变化，造成设备的误动作。放电的噪声电流导致器件的误动作。
4、射频辐射电磁场的抗扰度测试
对设备的干扰往往是设备 *** 作、维修和安全检查人员在使用移动电话时所产生的，无线电台、电视发射台、移动无线电发射机和各种工业电磁辐射源，以及电焊机、晶闸管整流器、荧光灯工作时产生的寄生辐射，都会产生射频辐射干扰。测试目的时建立一个共同的标准来评价电子设备的抗射频辐射电磁场干扰能力。
5、快速瞬变脉冲群的抗扰度测试
电路中机械开关对电感性负载的切换，通常会对同一电路中的其他电气和电子设备产生干扰。测试的机理是利用群脉冲产生的共模电流流过线路时，对线路分布电容能量的积累效应，当能量积累到一定程度时就可能引起线路（乃至设备）工作出错。通常测试设备一旦出错，就会连续不断的出错，即使把脉冲电压稍稍降低，出错情况依然不断的现象加以解释。脉冲成群出现，脉冲重复频率较高，波形上升时间短暂，能量较小，一般不会造成设备故障，使设备产生误动作的情况多见。
6、浪涌抗扰度测试
雷击主要模拟间接雷，如雷电击中户外线路，有大量电流流入户外线路或接地电阻，产生干扰电压。在线路感应的电压和电流，雷电击中临近物体产生电磁场，在线路上感应的电压和电流，雷击中地面，地电流通过公共接地系统时所引入的干扰。
切换瞬变：主电源系统切换时产生的干扰，同一电网大型开关跳动时产生的干扰。
7、射频场感应的传导抗扰度测试
通常情况下设备的引线的长度可能与干扰频率的几个波长相当，这些引线就可以通过传导方式对设备产生干扰，没有传导电缆的设备不需要做此项测试。在通常情况下，被干扰设备的尺寸要比频率较低的干扰波的波长小的多，相形之下，设备引线的长度可能达到干扰波的几个波长，这样，设备引线就变成被动天线，接受射频场的感应，变成传导干扰入侵设备内部，最终以射频电压电流形成的近场电磁场影响设备工作。
8、电压跌落、断时中断和电压渐变抗扰度测试
电压瞬间跌落、断时中断是由电网、变电设施的故障或负荷突然出现大的变化所引起的。电压变化是由连接到电网中的负荷连续变化引起的。
半导体激光器的调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率（对数字信号而言），或者是输出（或加载的）模拟信号的最大带宽。提高激光器的调制带宽，可以采取以下措施：
①有源区采用应变(抵偿)多量子阱结构-量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到双轴压应变和垂直于阱面方向的拉伸应变，其价带顶的重空穴能级上升，而且这种价带发生退简并，使电子从自旋轨道分裂带向重孔穴带的跃迁几率近似等于零，使室温下的俄歇复合几率减小，从而导致这种量子阱激光器的阈值电流下降，线宽增强因子减小以及弛豫振荡频率、调制带宽、微分增益系数显著提高。
②有源区p型掺杂 p型掺杂可减小穿过SCH区域时的空穴输运，这对高速量子阱器件是主要的限制p型掺杂可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中载流子的分布更加均匀。 若有源区Zn掺杂浓度接近1018cm-3时，其3dB带宽可达25GHz而且掺杂还可使器件的振荡频率增加到30GHz腔长为300μm此外，重掺杂还有利于降低线宽增强因子和进一步提高微分增益，这些都有利于提高器件的调制特性。
③降低电学寄生参数-为了降低高速激光器的电学寄生参数，尤其是寄生电容，可采用半绝缘Fe-InP再生长掩埋技术，同时还需减小电极面积采用自对准窄台面结构(SA -CM以减小器件的寄生电容。人们还常利用填充聚酰亚胺的方法来减小寄生电容。
④提高激光器内部光子浓度和微分增益-增加激光器腔内的光子浓度，可增加本征谐振频率。利用DFB结构使激射波长与增益峰波长为负失谐(-10nm可以提高微分增益，这些都可以增加-3dB调制带宽。 以上分析了限制半导体激光器高速调制特性的因素以及提高激光器调制带宽的途径，这些因素之间与其静态特性之间是相互影响的所以在设计高速激光器时，还需考虑其他特性，如阈值、温度特性等。
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