上海碳化硅功率器件工程技术研究中心招聘？

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑

半导体行业招化学专业。

招化学专业。首先在各大招聘平台都能看到很多半导体公司招聘化学专业的本科生，就是因为半导体行业其实也涉及化学的相关知识。

比如硅片，我们习惯将硅片制造中使用的化学材料称为工艺用化学品，有不同种类的化学形态（液态和气态）并且要严格控制纯度。所以这个过程就少不了化学专业。

粤芯半导体公司的工艺工程师招聘说明：

1、化学、材料、物理、自动化等理工科专业即可。

2、使用先进的机台与设备，完成工艺的调整与实现。

3、在工艺层面上减少缺陷、提高效率、确保稳定性。

4、进行产品缺陷分析，SPC监控，Recipe制定等，确保生产达标与成品良率合规。

简介：无锡新洁能功率半导体有限公司是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。坐落于无锡（滨湖）国家传感信息中心。目前专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。拥有自主知识产权和“新功率”、“NCEPower”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。公司主要团队人员是由志同道合的业界精英融合而成。其中不乏有功底深厚的20多年来一直潜心于功率半导体领域，先后在国内著名企业、新家坡和德国等国外机构从事研发工作的海归“科技领军与创业人才”，也有一批有着近10年经验的年青功率半导体工艺和器件专家。研发团队曾首创两项中国第一：即最先设计并大规模商业化大功率Trench-MOSFET（用于各种电动车控制器、UPS、汽车电子等领域）；最先设计四块Masks并大规模商业化中、小功率Trench-MOSFET（广泛用于便携数码产品），并取得多项中国发明专利。NCE依托自身世界领先的设计技术并持续进步以及世界一流的芯片制造、封测技术的大力支持，以够硬的产品应用能力，虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。无锡新洁能将以“诚信”对待、忠诚服务于一路相伴走来的所有客户和合作者，建立合作共赢的长期协作关系。无锡新洁能功率半导体有限公司（NCEPowerSemiconductor）是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。公司是中国第一家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业。公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势，与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，保证产品的持续优质和稳定供货。公司产品的特点是：性能与可靠性超越同行，应用偏向高端。注重品牌和信誉。目前专注于超结大功率MOS器件（SuperJunctionMOSFET）、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频（微波）RF-LDMOS器件的研发设计、生产、测试、质量考核、销售与服务。公司立足于自主创新，拥有自主知识产权和致力于“新功率”“NCEPower”自主产品品牌，在全球已取得几十项发明专利。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证体系，确保产品品质的一致性和稳定性。公司技术特点是：精通器件的研发设计；精通8英寸最先进芯片制程工艺；精通器件电参数的稳定性控制；精通产品应用中的可靠性控制。主要团队是由一批国内、外功底深厚的顶级功率半导体实战专家以及年青功率半导体工艺和器件工程师组成。曾在2008年，首创世界第一性价比的20V-30V低压TrenchMOSFET并与同年中国首创并大生产大功率Trench-MOSFET系列产品，应用于电动自行车、电摩、汽车HID灯控制电路。公司技术核心人员被评为姑苏创新创业领军人才、苏州工业园区科技领军人才；现又再创辉煌，成功实现并成为中国第一家500V-650V-900V大功率超结MOSFET研发成功并量产销售的公司。公司注重团体力量和综合竞争力的建设；注重怎样为客户提高市场竞争力；注重公司系统的不断完善。虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。公司以诚信对待、忠诚服务一路相伴走来的所有客户和合作者为理念，致力于建立合作共赢的长期协作关系。

法定代表人：朱袁正

成立时间：2009-12-10

注册资本：2000万人民币

工商注册号：320211000154088

企业类型：有限责任公司

公司地址：无锡市高浪东路999号研发大楼8楼

---